[實用新型]一種具有復合柵結構的IGBT芯片的加工設備

有效

• 申請號: 201921534574.1
• 申請日: 2019-09-16
• 公開（公告）號: CN210956591U
• 公開（公告）日: 2020-07-07
• 發明（設計）人: 王全;楊其峰;鄒有彪;倪俠;徐玉豹;沈春福;王超
• 申請（專利權）人: 富芯微電子有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/8224;H01L27/082;H01L29/423
• 代理公司: 合肥正則元起專利代理事務所(普通合伙) 34160
• 代理人: 韓立峰

本實用新型公開一種具有復合柵結構的IGBT芯片的加工設備，用于IGBT芯片原料晶圓基片的限位放置與刻蝕，包括刻蝕設備本體，設置在刻蝕設備本體下方的反應器，反應器內具有反應腔體，反應腔體內設置有內襯、晶圓固定座；內襯卡合在反應腔體內部的側壁內；反應腔體的底部設有漏斗狀的清潔通道，清潔通道與渦輪泵連接；內襯包括一筒體和與筒體一體成型的內襯底盤；晶圓固定座包括固定座本體，固定座本體的底部設有長條狀安裝板，長條狀安裝板與放置板適配。本實用新型的加工設備可同時放置多個晶圓基片，使用等離子體對晶圓基片進行刻蝕，刻蝕形成具有平面柵、溝槽柵的復合柵結構的IGBT芯片，大大提高了刻蝕加工效率。

技術領域

本實用新型涉及芯片加工設備領域，具體涉及一種具有復合柵結構的IGBT芯片的加工設備，用于IGBT芯片原料晶圓基片的限位放置與刻蝕。

背景技術

目前，在半導體刻蝕的過程中，一般的芯片刻蝕設備包括反應腔，在反應腔內設置內襯對腔體進行保護，從而避免等離子體直接與反應腔的側壁發生接觸。并且在刻蝕過程中，伴隨產生的聚合物雜質沉積于內襯上，收集后去除以提高反應腔的清潔度。現有技術中，常用的內襯分為密布孔型環繞內襯或欄柵型環繞內襯。密布孔型環繞的內襯因為形成為多孔狀，所以去除聚合物時難度偏高，工作量較大。

申請號201820936600.2的專利公開了一種半導體刻蝕設備，包括反應腔，在反應腔內設置有晶片支座，晶片支座用于承載晶片以利用等離子體對該晶片進行刻蝕，反應腔還包括內襯，內襯圍繞反應腔的側壁設置，內襯由多個片狀構件沿著側壁圍合而成，多個片狀構件設置為彼此至少有一部分重疊，使得反應腔的側壁不會相對于晶片露出。該半導體刻蝕設備設有片狀構件，使其沿側壁排布并至少一部分重疊而形成內襯，能夠阻止等離子體直接與反應腔的側壁發生接觸，實現對反應腔側壁的全面保護。但是用于具有復合柵結構的IGBT芯片的刻蝕加工，存在以下技術問題：1、無法同時限位放置多個晶圓基片進行刻蝕，無法形成具有平面柵、溝槽柵的復合柵結構的IGBT芯片，降低了刻蝕加工效率；2、刻蝕過程中散落的聚合物、雜質掉落在內襯上時，無法及時被渦輪泵制造的負壓吸除，降低了清潔效率；3、雜質和聚合物溶液殘存在反應腔體內而導致刻蝕效率降低。

實用新型內容

為了解決上述的技術問題，本實用新型的目的在于提供一種具有復合柵結構的IGBT芯片的加工設備。

本實用新型的目的可以通過以下技術方案實現：

本實用新型提供一種具有復合柵結構的IGBT芯片的加工設備，用于IGBT芯片原料晶圓基片的限位放置與刻蝕，包括刻蝕設備本體，設置在刻蝕設備本體下方的反應器，反應器內具有反應腔體，反應腔體內設置有內襯、晶圓固定座；內襯卡合在反應腔體內部的側壁內；反應腔體的底部設有漏斗狀的清潔通道，清潔通道與渦輪泵連接；

所述內襯包括一筒體和與筒體一體成型的內襯底盤，內襯底盤呈圓環狀，包括一中空內圓環與外側圓環，中空內圓環內設有放置板，中空內圓環與外側圓環之間的區域內環形陣列分布有弧狀板，相鄰的弧狀板之間具有容聚合物下落的間隙；

所述晶圓固定座包括固定座本體，固定座本體的底部設有長條狀安裝板，長條狀安裝板與放置板適配；固定座本體的側壁具有側擋板，頂部設有晶圓放置腔，晶圓放置腔內平行設有若干個螺紋孔；螺紋孔螺紋連接有限位座；限位座包括設于上方的限位座本體和下方的螺桿，螺桿與螺紋孔適配。

作為本實用新型進一步的方案，所述反應腔體的內壁底部設有吹掃箱，吹掃箱內設有吹掃機構。

作為本實用新型進一步的方案，所述吹掃機構包括：吹風機、吹風口、防粘附板，吹風機設于吹掃箱的內部，若干個防粘附板設置在吹掃箱靠近清潔通道的壁部，防粘附板朝清潔通道的中軸線傾斜向下設置；吹風口設置在吹掃箱的內壁且位于相鄰的防粘附板之間。

作為本實用新型進一步的方案，所述弧狀板包括長邊、短邊、弧狀邊，長邊的長度大于短邊的長度，弧狀邊的兩端分別與長邊和短邊連接，弧狀邊從長邊側向短邊側傾斜向下設置。