[實用新型]一種6750nm長波通紅外濾光敏感元件

有效

• 申請號: 201921492924.2
• 申請日: 2019-09-09
• 公開（公告）號: CN210690870U
• 公開（公告）日: 2020-06-05
• 發明（設計）人: 呂晶;嚴浪;劉晶
• 申請（專利權）人: 杭州麥樂克科技股份有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20
• 代理公司: 杭州裕陽聯合專利代理有限公司 33289
• 代理人: 姚宇吉

1.一種6750nm長波通紅外濾光敏感元件，包括基板、第一鍍膜層和第二鍍膜層，其中基板設于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，其特征在于：

所述基板為Ge基板；

所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有322～342nm厚度的Ge層、273～293nm厚度的ZnS層、236～256nm厚度的Ge層、403～423nm厚度的ZnS層、137～157nm厚度的Ge層、474～494nm厚度的ZnS層、227～247nm厚度的Ge層、458～478nm厚度的ZnS層、237～257nm厚度的Ge層、341～361nm厚度的ZnS層、163～183nm厚度的Ge層、523～543nm厚度的ZnS層、224～244nm厚度的Ge層、564～584nm厚度的ZnS層、364～384nm厚度的Ge層、447～467nm厚度的ZnS層、309～329nm厚度的Ge層、783～803nm厚度的ZnS層、182～202nm厚度的Ge層、671～691nm厚度的ZnS層、432～452nm厚度的Ge層、237～257nm厚度的ZnS層、421～441nm厚度的Ge層、1178～1198nm厚度的ZnS層；

所述的第二鍍膜層由內向外依次排列包含有335～355nm厚度的Ge層、224～244nm厚度的ZnS層、246～266nm厚度的Ge層、143～163nm厚度的ZnS層、72～92nm厚度的Ge層、230～250nm厚度的ZnS層、120～140nm厚度的Ge層、234～254nm厚度的ZnS層、125～145nm厚度的Ge層、117～137nm厚度的ZnS層、100～120nm厚度的Ge層、232～252nm厚度的ZnS層、140～160nm厚度的Ge層、228～248nm厚度的ZnS層、151～171nm厚度的Ge層、262～282nm厚度的ZnS層、126～146nm厚度的Ge層、428～448nm厚度的ZnS層、140～160nm厚度的Ge層、281～301nm厚度的ZnS層、165～185nm厚度的Ge層、295～315nm厚度的ZnS層、495～515nm厚度的Ge層、196～216nm厚度的ZnS層、361～381nm厚度的Ge層、1164～1184nm厚度的ZnS層。

2.根據權利要求1所述的一種6750nm長波通紅外濾光敏感元件，其特征在于：

所述第一鍍膜層由內向外依次排列包含有332nm厚度的Ge層、283nm厚度的ZnS層、246nm厚度的Ge層、413nm厚度的ZnS層、147nm厚度的Ge層、484nm厚度的ZnS層、237nm厚度的Ge層、468nm厚度的ZnS層、247nm厚度的Ge層、351nm厚度的ZnS層、173nm厚度的Ge層、533nm厚度的ZnS層、234nm厚度的Ge層、574nm厚度的ZnS層、374nm厚度的Ge層、457nm厚度的ZnS層、319nm厚度的Ge層、793nm厚度的ZnS層、192nm厚度的Ge層、681nm厚度的ZnS層、442nm厚度的Ge層、247nm厚度的ZnS層、431nm厚度的Ge層、1188nm厚度的ZnS層；

所述的第二鍍膜層由內向外依次排列包含有345nm厚度的Ge層、234nm厚度的ZnS層、256nm厚度的Ge層、153nm厚度的ZnS層、82nm厚度的Ge層、240nm厚度的ZnS層、130nm厚度的Ge層、244nm厚度的ZnS層、135nm厚度的Ge層、127nm厚度的ZnS層、110nm厚度的Ge層、242nm厚度的ZnS層、150nm厚度的Ge層、238nm厚度的ZnS層、161nm厚度的Ge層、272nm厚度的ZnS層、136nm厚度的Ge層、438nm厚度的ZnS層、150nm厚度的Ge層、291nm厚度的ZnS層、175nm厚度的Ge層、305nm厚度的ZnS層、505nm厚度的Ge層、206nm厚度的ZnS層、371nm厚度的Ge層、1174nm厚度的ZnS層。