[實用新型]集成裝置

有效

• 申請號: 201921488017.0
• 申請日: 2019-09-06
• 公開（公告）號: CN210167357U
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 陸斌;沈健
• 申請（專利權）人: 深圳市匯頂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產權代理有限公司 11329
• 代理人: 徐勇勇;毛威

提供一種集成裝置，所述集成裝置包括：基板，所述基板的上表面設置有至少一個第一焊盤；硅層，所述硅層設置在所述基板的上方，所述硅層設置有至少一個導電結構，所述至少一個導電結構分別對應所述至少一個第一焊盤；第一絕緣層，所述第一絕緣層設置在所述硅層的上方，所述第一絕緣層內設置有第一布線層，所述至少一個第一焊盤分別通過所述至少一個導電結構連接至所述第一布線層。基于以上技術方案，能夠有效降低所述集成裝置的厚度和成本。

技術領域

本申請實施例涉及芯片封裝領域，并且更具體地，涉及集成裝置。

背景技術

目前，2.5維(Dimensions，D)轉接板(silicon/glass interposer)是后摩爾時代的一種重要的先進封裝結構。

具體而言，如圖1所示，2.5D轉接板120選取硅片或玻璃作為基底，先利用晶圓工藝在基底121的兩個表面制作重布線層(redistribution layer，RDL)，然后通過鍍銅的硅通孔(Through Si Vias，TSV)或玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)122實現電信號從轉接板正面的布線層123到背面的布線層124的垂直傳遞。

在封裝過程中，芯片(chip)130以倒樁的形式通過2.5D轉接板120封裝在基板110上。例如，2.5D轉接板120與芯片130通過節距較小的微凸點或焊球連接；于此同時，2.5D轉接板120與基板110之間通過節距較大的凸點或焊球連接。

但是，由于2.5D轉接板120不僅需要集成TSV/TGV、鍍銅、金屬平坦化、晶圓減薄、再布線、微細間距銅凸點、高精度芯片鍵合等完整成套制備工藝，而且安裝工藝復雜，增加了成本。而且基于2.5D轉接板120形成的產品100，其厚度也過大。

實用新型內容

提供一種集成裝置及其制備方法，能夠降低集成裝置的成本和厚度。

第一方面，提供了一種集成裝置，包括：

基板，所述基板的上表面設置有至少一個第一焊盤；

硅層，所述硅層設置在所述基板的上方，所述硅層在所述至少一個第一焊盤的上方分別設置有至少一個導電結構；

第一絕緣層，所述第一絕緣層設置在所述硅層的上方，所述第一絕緣層內設置有第一布線層，所述至少一個第一焊盤分別通過所述至少一個導電結構連接至所述第一布線層。

通過在基板的上表面設置一層硅層以及在所述硅層中設置與所述至少一個第一焊盤分別對應的至少一個導電結構，不僅能夠實現垂直和水平方向的高密度金屬互連，而且能夠避免使用2.5D轉接板。相比2.5D轉接板，所述集成裝置的制備工藝以及將待集成芯片集成到所述集成裝置的集成工藝簡單，不僅能夠降低所述集成裝置的成本，而且能夠降低所述集成裝置的總體厚度。

同時，通過所述硅層支撐第一布線層，能夠盡可能緩解所述基板和待集成芯片間的熱膨脹系數差異，進而提升所述集成裝置的性能。

此外，通過所述硅層支撐所述第一布線層，可以在所述硅層中集成電容器等無源器件，以提高所述集成裝置的性能。

在一些可能實現的方式中，所述硅層包括多晶硅層、非晶硅層和微晶硅層中的至少一層。

在一些可能實現的方式中，所述硅層為沉積在所述基板上的沉積層。

在一些可能實現的方式中，所述硅層形成有所述至少一個第一焊盤分別對應的至少一個通孔，其中，所述第一布線層分別延伸至所述至少一個通孔內，且分別連接至所述至少一個第一焊盤，以形成所述至少一個導電結構。

在一些可能實現的方式中，所述第一絕緣層和所述第一布線層均延伸至所述至少一個通孔中的第一通孔內，且所述第一通孔內的第一布線層位于所述第一通孔內的第一絕緣層的外側。