[實用新型]集成裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921488017.0 | 申請日: | 2019-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN210167357U | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陸斌;沈健 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市匯頂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/482;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京龍雙利達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11329 | 代理人: | 徐勇勇;毛威 |
| 地址: | 518045 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 裝置 | ||
1.一種集成裝置,其特征在于,包括:
基板,所述基板的上表面設(shè)置有至少一個第一焊盤;
硅層,所述硅層設(shè)置在所述基板的上方,所述硅層在所述至少一個第一焊盤的上方分別設(shè)置有至少一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu);
第一絕緣層,所述第一絕緣層設(shè)置在所述硅層的上方,所述第一絕緣層內(nèi)設(shè)置有第一布線層,所述至少一個第一焊盤分別通過所述至少一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)連接至所述第一布線層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成裝置,其特征在于,所述硅層包括多晶硅層、非晶硅層和微晶硅層中的至少一層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成裝置,其特征在于,所述硅層為沉積在所述基板上的沉積層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成裝置,其特征在于,所述硅層形成有所述至少一個第一焊盤分別對應(yīng)的至少一個通孔,其中,所述第一布線層分別延伸至所述至少一個通孔內(nèi),且分別連接至所述至少一個第一焊盤,以形成所述至少一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成裝置,其特征在于,所述第一絕緣層和所述第一布線層均延伸至所述至少一個通孔中的第一通孔內(nèi),且所述第一通孔內(nèi)的第一布線層位于所述第一通孔內(nèi)的第一絕緣層的外側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成裝置,其特征在于,所述至少一個通孔中的第二通孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電柱,所述第一布線層連接至所述導(dǎo)電柱。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成裝置,其特征在于,所述至少一個通孔中的每一個通孔的靠近所述第一絕緣層的開口的孔徑大于同一通孔的靠近所述基板的開口的孔徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的集成裝置,其特征在于,所述集成裝置還包括:
第二絕緣層;
其中,所述第二絕緣層設(shè)置在所述硅層和所述第一絕緣層之間,且延伸至所述至少一個通孔中每一個通孔的內(nèi)壁。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成裝置,其特征在于,所述硅層形成有所述至少一個第一焊盤分別對應(yīng)的至少一個導(dǎo)電區(qū),其中,所述至少一個導(dǎo)電區(qū)中每一個導(dǎo)電區(qū)的電阻率小于或等于預(yù)設(shè)閾值,以形成所述至少一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的集成裝置,其特征在于,所述集成裝置還包括:
第三絕緣層;
其中,所述硅層在所述至少一個導(dǎo)電區(qū)的周圍形成有貫通所述硅層的凹環(huán),所述第三絕緣層設(shè)置在所述硅層和所述第一絕緣層之間,且延伸至所述凹環(huán)內(nèi),所述第三絕緣層形成有所述至少一個導(dǎo)電區(qū)中每一個導(dǎo)電區(qū)對應(yīng)的通孔,所述至少一個導(dǎo)電區(qū)中的每一個導(dǎo)電區(qū)通過所述第三絕緣層上的同一導(dǎo)電區(qū)對應(yīng)的通孔連接至所述第一布線層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的集成裝置,其特征在于,所述集成裝置還包括:
第四絕緣層;
其中,所述第四絕緣層設(shè)置在所述基板和所述硅層之間,所述第四絕緣層形成有所述至少一個第一焊盤中的每一個第一焊盤對應(yīng)的通孔,所述至少一個第一焊盤中的每一個第一焊盤通過所述第四絕緣層上的同一第一焊盤對應(yīng)的通孔連接至同一第一焊盤對應(yīng)的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的集成裝置,其特征在于,所述集成裝置還包括:
第五絕緣層;
其中,所述第五絕緣層設(shè)置在所述硅層和所述基板之間,所述第五絕緣層內(nèi)設(shè)置有第二布線層,所述硅層的至少一個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)分別通過所述第二布線層連接至所述至少一個第一焊盤。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成裝置,其特征在于,所述第二布線層中布線的線寬大于所述第一布線層中布線的線寬,和/或,所述第二布線層中布線的間距大于所述第一布線層中布線的間距。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





