[實(shí)用新型]屏蔽膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921473959.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-09-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN210840537U | 公開（公告）日： | 2020-06-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉麟躍;周小紅;基亮亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州維業(yè)達(dá)觸控科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H05K9/00 | 分類號(hào)： | H05K9/00;C25D1/10 |
| 代理公司： | 上海波拓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31264 | 代理人： | 楊波 |
| 地址： | 215026 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 屏蔽 | ||
1.一種屏蔽膜，其特征在于，包括由微電鑄制備形成包括多條金屬線的屏蔽區(qū)，以及由微電鑄制備形成、連接于所述屏蔽區(qū)至少一側(cè)、用以降低所述屏蔽區(qū)整體的厚度差異的緩沖區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述緩沖區(qū)的寬度大于所述屏蔽區(qū)中金屬線的寬度。
3.如權(quán)利要求2所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽區(qū)中金屬線的寬度為3-10μm，所述緩沖區(qū)的寬度為0.5-2cm。
4.如權(quán)利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽區(qū)的厚度小于所述緩沖區(qū)的厚度，所述屏蔽區(qū)與所述緩沖區(qū)的厚度差異小于或等于3μm，所述緩沖區(qū)的厚度為5-20μm，所述屏蔽區(qū)的厚度2-17μm。
5.如權(quán)利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽區(qū)設(shè)有第一導(dǎo)電層、設(shè)置在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，所述緩沖區(qū)設(shè)有第一金屬層、設(shè)置在所述第一金屬層上的第二金屬層，所述第一導(dǎo)電層連接所述第一金屬層，所述第二導(dǎo)電層連接所述第二金屬層。
6.如權(quán)利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層的厚度大于所述第一導(dǎo)電層的厚度，所述第二金屬層的厚度大于所述第一金屬層的厚度。
7.如權(quán)利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層與所述第一金屬層的材料相同，所述第二導(dǎo)電層與所述第二金屬層的材料相同，所述第一導(dǎo)電層與所述第一金屬層的材料為銀或銅或金或石墨烯或其它導(dǎo)電材料的漿料，所述第二導(dǎo)電層與所述第二金屬層的材料為銀或銅或金或鎳或鐵鎳合金或其它金屬材料。
8.如權(quán)利要求5所述的屏蔽膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層的接觸面為平面或非平面，所述第一金屬層與所述第二金屬層的接觸面為平面或非平面。
9.如權(quán)利要求1所述的屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽區(qū)四周均設(shè)置所述緩沖區(qū)。
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