[實用新型]玻璃基板結構有效
| 申請號: | 201921468045.6 | 申請日: | 2019-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN210167326U | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發明(設計)人: | 黃玲玲 | 申請(專利權)人: | 北京萬應科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60;H01L23/482 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 板結 | ||
本實用新型公開了一種玻璃基板結構,包括玻璃基板,玻璃基板上設置有穿透玻璃基板的第一通孔,玻璃基板上設置有覆蓋玻璃基板的第一外層介質層,第一外層介質層填充第一通孔,在第一通孔對應的位置設置有穿透第一外層介質層的第二通孔,在第一外層介質層的底部、頂部和第二通孔內設有內層布線層,在內層布線層上設置第二外層介質層,第二外層介質層與第二通孔對應的位置設置有盲孔,在第二外層介質層上設有通過盲孔與內層布線層電連接的外層布線層,在外層布線層上設置有阻焊層。本實用新型,采用玻璃基板,在玻璃基板上封裝內層線路層和外層布線層,并在外層布線層上設置阻焊層,形成熱膨脹系數小的基板,減小熱應力。
技術領域
本實用新型涉及電子元件封裝技術領域,尤其涉及一種玻璃基板結構。
背景技術
基板材料(Substrate Material)是制造半導體元件及印制電路板的基礎材料,如半導體工業用的材料硅、砷化鎵、硅外延針稼拓榴石等。使用時,通常需要將基板與芯片進行封裝,形成半導體元件或者印制電路板,實現各種功能,為了滿足高速信號傳輸,現有的基板通常采用高頻基板,降低損耗。然而,現有的高頻基板由于熱膨脹系數(Coefficientof thermal expansion,CTE)較大,用于封裝時容易產生較大的熱應力,無法完成倒裝焊形成的封裝,通常只能實現引線鍵合,而引線鍵合產生的寄生感抗較高,引線傳輸損耗較大,引線電阻也會產生信號衰減,從而產生阻抗損耗,并且常規的高頻基板表面由于不透明無法引導光波在其中傳播,因此無法集成光波導。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術的高頻基板熱膨脹系數大,無法完成倒裝焊形成的封裝和集成光波導的不足,提供一種玻璃基板結構。
本實用新型的技術方案提供一種玻璃基板結構,包括玻璃基板,所述玻璃基板上設置有穿透所述玻璃基板的第一通孔,所述玻璃基板上設置有覆蓋所述玻璃基板的第一外層介質層,所述第一外層介質層填充所述第一通孔,在所述第一通孔對應的位置設置有穿透所述第一外層介質層的第二通孔,在所述第一外層介質層的底部、頂部和所述第二通孔內設有內層布線層,在所述內層布線層上設置第二外層介質層,所述第二外層介質層與所述第二通孔對應的位置設置有盲孔,在所述第二外層介質層上設有通過所述盲孔與所述內層布線層電連接的外層布線層,在所述外層布線層上設置有阻焊層。
進一步的,所述內層布線層包括設置在所述第一外層介質層的底部、頂部和所述第二通孔內的第一金屬層,在所述第一金屬層上設置覆蓋所述玻璃基板的第一電路圖形。
進一步的,所述外層布線層包括設置在所述第二外層介質層的底部、頂部和所述盲孔內的第二金屬層,在所述第二金屬層上設置第二電路圖形。
進一步的,所述阻焊層上設置有覆蓋所述阻焊層的可焊性涂層。
進一步的,所述第一通孔的直徑大于所述第二通孔的直徑。
采用上述技術方案后,具有如下有益效果:通過采用玻璃基板,并在玻璃基板上封裝內層線路層和外層布線層,并在外層布線層上設置阻焊層,形成熱膨脹系數小的基板,在與芯片進行封裝時,減小熱應力,可以直接與芯片進行陽極鍵合,實現氣密性封裝,完成倒裝焊形成的封裝,同時通過玻璃基板可以在玻璃上直接集成光波導等無源器件,形成光互連。
附圖說明
參見附圖,本實用新型的公開內容將變得更易理解。應當理解:這些附圖僅僅用于說明的目的,而并非意在對本實用新型的保護范圍構成限制。圖中:
圖1是本實用新型一實施例提供的一種玻璃基板結構的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖來進一步說明本實用新型的具體實施方式。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





