[實用新型]內(nèi)襯結(jié)構(gòu)、反應腔室和半導體加工設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921449713.0
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN210223967U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設計）人: 茅興飛;王偉;樓豐瑞;石鍺元;廉串海;呂增富
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本實用新型提供一種內(nèi)襯結(jié)構(gòu)、反應腔室和半導體加工設備，該內(nèi)襯結(jié)構(gòu)包括：內(nèi)襯主體，包括構(gòu)成階梯結(jié)構(gòu)的上環(huán)部和下環(huán)部，且下環(huán)部的外徑小于上環(huán)部的內(nèi)徑；并且，在上環(huán)部上設置有用于供被加工工件出入的內(nèi)襯開口，該內(nèi)襯開口延伸至上環(huán)部的下端；內(nèi)門，設置在上環(huán)部的下方，且內(nèi)門的內(nèi)徑與上環(huán)部的內(nèi)徑相同，并且內(nèi)門是可升降的，以能夠開啟或關(guān)閉內(nèi)襯開口。本實用新型所提供的內(nèi)襯結(jié)構(gòu)、反應腔室和半導體加工設備的技術(shù)方案，不僅可以避免內(nèi)門與內(nèi)襯發(fā)生刮擦，而且可以保證腔體內(nèi)壁和內(nèi)襯內(nèi)壁的完整性，從而可以提高氣流場的均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導體設備技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種內(nèi)襯結(jié)構(gòu)、反應腔室和半導體加工設備。

背景技術(shù)

等離子體刻蝕機通常用于完成對晶圓的電化學加工。為了得到一個氣流平穩(wěn)流動的腔室環(huán)境，并使腔室內(nèi)壁不受等離子體直接轟擊，一般在腔室的側(cè)壁內(nèi)側(cè)安裝有內(nèi)襯。而且，為了能夠?qū)⒕A傳入傳出腔室內(nèi)部，需要分別在腔室壁和內(nèi)襯上設置開口，以供晶圓通過，并且還設置有可升降的內(nèi)門，用以開啟或關(guān)閉內(nèi)襯開口。

但是，現(xiàn)有的內(nèi)襯結(jié)構(gòu)在實際應用在不可避免地存在以下問題：

其一，由于內(nèi)門的內(nèi)徑與內(nèi)襯的外徑相同，這內(nèi)門在上升過程中，很容易與內(nèi)襯的外周壁發(fā)生刮擦，產(chǎn)生顆粒物，從而造成腔室環(huán)境被污染，影響晶圓的生產(chǎn)良率；同時，由于內(nèi)門的內(nèi)壁與內(nèi)襯的內(nèi)壁未對齊，導致內(nèi)襯開口影響了內(nèi)襯的圓柱形內(nèi)壁的完整性，從而影響氣流場的均勻性，進而不利于工藝均勻性；

其二，由于內(nèi)襯與腔室側(cè)壁之間的空間有限，就需要在腔室側(cè)壁上預留出缺口，以能夠有足夠的空間容納內(nèi)門及其驅(qū)動機構(gòu)，這個缺口的存在會影響圓柱形腔室內(nèi)壁的完整性，這同樣會不利于工藝均勻性。

實用新型內(nèi)容

本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種內(nèi)襯結(jié)構(gòu)、反應腔室和半導體加工設備，其不僅可以避免內(nèi)門與內(nèi)襯發(fā)生刮擦，而且可以保證腔體內(nèi)壁和內(nèi)襯內(nèi)壁的完整性，從而可以提高氣流場的均勻性。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種內(nèi)襯結(jié)構(gòu)，包括：

內(nèi)襯主體，包括構(gòu)成階梯結(jié)構(gòu)的上環(huán)部和下環(huán)部，且所述下環(huán)部的外徑小于所述上環(huán)部的內(nèi)徑；并且，在所述上環(huán)部上設置有用于供被加工工件出入的內(nèi)襯開口，所述內(nèi)襯開口延伸至所述上環(huán)部的下端；

內(nèi)門，設置在所述上環(huán)部的下方，且所述內(nèi)門的內(nèi)徑與所述上環(huán)部的內(nèi)徑相同，并且所述內(nèi)門是可升降的，以能夠開啟或關(guān)閉所述內(nèi)襯開口。

可選的，所述內(nèi)襯開口與所述內(nèi)門彼此相對的兩個表面構(gòu)成能夠阻擋等離子體通過的迷宮式間隙。

可選的，在所述內(nèi)襯開口的與所述內(nèi)門相對的表面上設置有凸部，所述凸部的內(nèi)徑大于所述內(nèi)門的外徑。

可選的，分別在所述內(nèi)襯開口與所述內(nèi)門彼此相對的兩個表面上分別設置有凸部和凹部；所述凹部為一個或多個，且多個所述凹部沿所述上環(huán)部的徑向間隔設置；所述凸部的數(shù)量與所述凹部的數(shù)量相同，且在所述內(nèi)門處于關(guān)閉所述內(nèi)襯開口的位置處時，各個所述凸部一一對應地設置在各個所述凹部中。

可選的，所述內(nèi)襯結(jié)構(gòu)還包括用于驅(qū)動所述內(nèi)門升降的升降機構(gòu)，所述升降機構(gòu)固定在下電極機構(gòu)上。

可選的，所述升降機構(gòu)包括：

殼體，用于與所述下電極機構(gòu)固定連接；

直線驅(qū)動源，設置在所述殼體內(nèi)，用于提供直線動力；

連桿組件，分別與所述內(nèi)門和所述直線驅(qū)動源連接；

導向件，用于限定所述連桿組件沿豎直方向移動。