[實用新型]內襯結構、反應腔室和半導體加工設備

有效

• 申請號: 201921449713.0
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN210223967U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 茅興飛;王偉;樓豐瑞;石鍺元;廉串海;呂增富
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種內襯結構，其特征在于，包括：

內襯主體，包括構成階梯結構的上環部和下環部，且所述下環部的外徑小于所述上環部的內徑；并且，在所述上環部上設置有用于供被加工工件出入的內襯開口，所述內襯開口延伸至所述上環部的下端；

內門，設置在所述上環部的下方，且所述內門的內徑與所述上環部的內徑相同，并且所述內門是可升降的，以能夠開啟或關閉所述內襯開口。

2.根據權利要求1所述的內襯結構，其特征在于，所述內襯開口與所述內門彼此相對的兩個表面構成能夠阻擋等離子體通過的迷宮式間隙。

3.根據權利要求2所述的內襯結構，其特征在于，在所述內襯開口的與所述內門相對的表面上設置有凸部，所述凸部的內徑大于所述內門的外徑。

4.根據權利要求2所述的內襯結構，其特征在于，分別在所述內襯開口與所述內門彼此相對的兩個表面上分別設置有凸部和凹部；所述凹部為一個或多個，且多個所述凹部沿所述上環部的徑向間隔設置；所述凸部的數量與所述凹部的數量相同，且在所述內門處于關閉所述內襯開口的位置處時，各個所述凸部一一對應地設置在各個所述凹部中。

5.根據權利要求1-4任意一項所述的內襯結構，其特征在于，所述內襯結構還包括用于驅動所述內門升降的升降機構，所述升降機構固定在下電極機構上。

6.根據權利要求5所述的內襯結構，其特征在于，所述升降機構包括：

殼體，用于與所述下電極機構固定連接；

直線驅動源，設置在所述殼體內，用于提供直線動力；

連桿組件，分別與所述內門和所述直線驅動源連接；

導向件，用于限定所述連桿組件沿豎直方向移動。

7.根據權利要求6所述的內襯結構，其特征在于，所述連桿組件包括連接件和兩個連桿，沿所述下電極機構的周向分別位于所述殼體的兩側，兩個所述連桿的上端均與所述內門連接，兩個所述連桿的下端均通過所述連接件與所述直線驅動源連接；

所述導向件包括兩個導向座，兩個所述導向座設置在所述殼體的外壁上，且在每個所述導向座上豎直設置有導向孔；兩個所述連桿分別穿過兩個所述導向座上的所述導向孔。

8.根據權利要求7所述的內襯結構，其特征在于，在所述殼體的底部設置有貫穿其厚度的通孔；所述直線驅動源的驅動軸的下端經由所述通孔延伸至所述殼體的外部，并與所述連接件連接；

所述升降機構還包括動密封結構，用于對所述通孔與所述驅動軸之間的間隙進行密封。

9.根據權利要求8所述的內襯結構，其特征在于，所述動密封結構包括波紋管，所述波紋管位于所述殼體內，且套設在所述驅動軸上，并且所述波紋管的下端與所述殼體的底部密封連接，所述波紋管的上端通過法蘭與所述驅動軸密封連接。

10.根據權利要求6所述的內襯結構，其特征在于，所述導向件采用抗腐蝕材料制作；或者，在所述導向件的外表面設置有抗腐蝕層。

11.根據權利要求1所述的內襯結構，其特征在于，所述內襯主體還包括盤狀勻流部，所述盤狀勻流部的外周緣與所述下環部的下端連接，且在所述盤狀勻流部中設置有柵孔部。

12.一種反應腔室，包括腔體、設置在所述腔體內的下電極機構和環繞設置在所述腔體內側的內襯結構，其特征在于，所述內襯結構采用權利要求1-11任意一項所述的內襯結構；

在所述腔體上設置有腔體開口，所述腔體開口與所述內襯開口相對。

13.一種半導體加工設備，包括反應腔室，其特征在于，所述反應腔室采用權利要求12所述的反應腔室。