[實(shí)用新型]一種Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921428535.3 | 申請日： | 2019-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN210182176U | 公開（公告）日： | 2020-03-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李明軒;潘士賓;李方明;李亞峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 唐山恭成科技有限公司 |
| 主分類號： | H01C7/04 | 分類號： | H01C7/04;H01C1/142 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335 | 代理人： | 周文 |
| 地址： | 063200 河北省唐山市曹*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 sn ni ag 復(fù)合 電極 熱敏電阻 芯片 | ||
1.一種Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，包括：熱敏瓷基體和復(fù)合金屬電極；
所述復(fù)合金屬電極設(shè)置在所述熱敏瓷基體的兩個相對表面上；
所述復(fù)合金屬電極包括銀電極層、鎳電極層和錫電極層，所述銀電極層設(shè)置在所述熱敏瓷基體上，所述鎳電極層設(shè)置在所述銀電極層上，所述錫電極層設(shè)置在所述鎳電極層上。
2.如權(quán)利要求1所述的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，所述銀電極層的厚度為1.0-50.0μm。
3.如權(quán)利要求1所述的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，所述鎳電極層的厚度為0.1-5.0μm。
4.如權(quán)利要求1所述的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，所述錫電極層的厚度為1.0-10.0μm。
5.如權(quán)利要求1所述的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，所述銀電極層采用絲網(wǎng)印刷的方式設(shè)置在所述熱敏瓷基體上。
6.如權(quán)利要求1所述的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，所述鎳電極層采用電鍍的方式設(shè)置在所述銀電極層上。
7.如權(quán)利要求1所述的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，所述錫電極層采用電鍍的方式設(shè)置在所述鎳電極層上。
8.如權(quán)利要求1所述的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，其特征在于，所述熱敏瓷基體為NTC熱敏瓷基體，所述熱敏電阻芯片為NTC熱敏電阻芯片。
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