[實(shí)用新型]一種Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921428535.3
• 申請(qǐng)日: 2019-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN210182176U
• 公開（公告）日: 2020-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李明軒;潘士賓;李方明;李亞峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 唐山恭成科技有限公司
• 主分類號(hào): H01C7/04
• 分類號(hào): H01C7/04;H01C1/142
• 代理公司: 北京匯信合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11335
• 代理人: 周文

本實(shí)用新型公開了一種Sn?Ni?Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，包括：熱敏瓷基體和復(fù)合金屬電極；復(fù)合金屬電極設(shè)置在熱敏瓷基體的兩個(gè)相對(duì)表面上；復(fù)合金屬電極包括銀電極層、鎳電極層和錫電極層，銀電極層設(shè)置在熱敏瓷基體上，鎳電極層設(shè)置在銀電極層上，錫電極層設(shè)置在鎳電極層上。相比常規(guī)的單層銀電極熱敏電阻芯片，本實(shí)用新型具有更好的焊接性能以及更高的可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片。

背景技術(shù)

熱敏溫度芯片作為溫度傳感器的感溫元件，廣泛用于各種溫度檢測(cè)、溫度補(bǔ)償、溫度控制電路中，通過其電阻隨溫度的變化而變化的特性，將溫度信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)。

現(xiàn)有的熱敏電阻芯片，由熱敏陶瓷體和分別設(shè)于熱敏陶瓷體兩個(gè)相對(duì)表面的單層銀電極組成。這種單層銀電極熱敏電阻芯片存在以下問題：

1)熱敏電阻芯片在使用時(shí)，一般會(huì)通過焊錫焊接到線路中。銀在空氣中容易氧化，在上述的焊接過程中，容易發(fā)生上錫不良現(xiàn)象。

2)由于銀是低熔點(diǎn)的金屬，在焊接過程中，融化的焊錫會(huì)腐蝕銀電極，造成熱敏電阻芯片電性能劣化。

3)在長(zhǎng)期使用中，熱敏電阻銀電極中的銀離子會(huì)向錫中遷移，造成熱敏電阻芯片電性能劣化。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對(duì)上述問題中存在的不足之處，本實(shí)用新型提供一種Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片。

本實(shí)用新型公開了一種Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，包括：熱敏瓷基體和復(fù)合金屬電極；

所述復(fù)合金屬電極設(shè)置在所述熱敏瓷基體的兩個(gè)相對(duì)表面上；

所述復(fù)合金屬電極包括銀電極層、鎳電極層和錫電極層，所述銀電極層設(shè)置在所述熱敏瓷基體上，所述鎳電極層設(shè)置在所述銀電極層上，所述錫電極層設(shè)置在所述鎳電極層上。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述銀電極層的厚度為1.0-50.0μm。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鎳電極層的厚度為0.1-5.0μm。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述錫電極層的厚度為1.0-10.0μm。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述銀電極層采用絲網(wǎng)印刷的方式設(shè)置在所述熱敏瓷基體上。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鎳電極層采用電鍍的方式設(shè)置在所述銀電極層上。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述錫電極層采用電鍍的方式設(shè)置在所述鎳電極層上。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述熱敏瓷基體為NTC熱敏瓷基體，所述熱敏電阻芯片為NTC熱敏電阻芯片。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果為：

本實(shí)用新型的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片，相比常規(guī)的單層銀電極熱敏電阻芯片，具有更好的焊接性能以及更高的可靠性。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型一種實(shí)施例公開的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型一種實(shí)施例公開的Sn-Ni-Ag復(fù)合電極熱敏電阻芯片的制備流程圖。

圖中：

1、熱敏瓷基體；2、銀電極層；3、鎳電極層；4、錫電極層。

具體實(shí)施方式