[實用新型]單晶PERC電池結構

有效

• 申請號: 201921419647.2
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN210516735U
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 劉斌;黃輝巍;陳正飛;楊紅進
• 申請（專利權）人: 江蘇順風新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/04
• 代理公司: 常州知融專利代理事務所(普通合伙) 32302
• 代理人: 路接洲

本實用新型涉及一種單晶PERC電池結構，具有硅片本體，所述的硅片本體的正面自下而上分別設置有熱氧化SiOx層、管式PECVD正面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD正面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD正面鍍膜頂層SiOx層；所述的硅片本體的背面自上而下分別設置有ALD氧化鋁鈍化層、管式PECVD背面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD背面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD背面鍍膜頂層SiNx層。本實用新型增強了正面膜色的均勻性，降低了邊緣繞鍍情況，實現了黑背板層壓后的純黑組件的效果。

技術領域

本實用新型涉及太陽能電池技術領域，尤其是一種單晶PERC電池結構。

背景技術

目前市場上主流的PERC電池片用于白背板層壓，但是由于客戶對組件外觀要求越來越高，需求為黑色背板層壓的全黑組件，因此目前市場上大部分的 PERC電池均不能滿足全黑組件效果。其主要原因是：硅片背面SiNx膜層繞鍍，硅片正面膜層偏藍等。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是：提供一種單晶PERC電池結構，能夠使電池正面膜色均勻發黑，匹配黑背板層壓后可為純黑組件。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：一種單晶PERC電池結構，具有硅片本體，所述的硅片本體的正面自下而上分別設置有熱氧化SiOx層、管式PECVD正面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD正面鍍膜中間單層或多層SiNx 層以及管式PECVD正面鍍膜頂層SiOx層；所述的硅片本體的背面自上而下分別設置有ALD氧化鋁鈍化層、管式PECVD背面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD 背面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD背面鍍膜頂層SiNx層。

進一步的說，本實用新型所述的硅片本體的正面設置的熱氧化SiOx層的厚度為1-3nm，硅片本體的背面設置的ALD氧化鋁鈍化層的厚度為2-5nm。

管式PECVD正面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD正面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD正面鍍膜頂層SiOx層的總膜厚為70-90nm，折射率為1.9-2.1；管式PECVD正面鍍膜底層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為 5-30nm；管式PECVD正面鍍膜中間單層或多層SiNx層，總膜厚為30-70nm，折射率為1.9-2.3；管式PECVD正面鍍膜頂層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為10-40nm。

管式PECVD背面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD背面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD背面鍍膜頂層SiNx層的總膜厚為100-200nm，折射率為1.9-2.1；管式PECVD背面鍍膜底層底層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為5-25nm；管式PECVD背面鍍膜中間單層或多層SiNx層，總膜厚為40-80nm，折射率為1.9-2.3；管式PECVD背面鍍膜頂層SiNx層為單層或多層SiNx層，總膜厚為40-80nm，折射率為1.9-2.3。

制備工藝，包括以下步驟，

1)對單晶硅片進行前段工藝處理，直至硅片背面拋光結束；

2)在硅片正面通過管式熱氧化方式生長一層SiO₂，厚度為1-3nm，溫度600℃ -750℃，時間30-60min；

3)采用ALD模式進行單面氧化鋁原子沉積，在硅片背面生長一層致密氧化鋁，氧化鋁厚度2-5nm；

4)在硅片正面進行鍍膜，膜層為多層膜，包括底層SiOx層、中間層SiNx 層以及頂層SiOx層，所述的多層膜的總膜厚為70-90nm，折射率為1.9-2.1；

5)在硅片背面進行鍍膜，膜層為多層膜，包括底層SiOx層、中間層SiNx 層以及頂層SiOx層，所述的多層膜總膜厚為100-200nm，折射率為1.9-2.1；