[實用新型]單晶PERC電池結構有效

申請號：	201921419647.2	申請日：	2019-08-29
公開（公告）號：	CN210516735U	公開（公告）日：	2020-05-12
發明（設計）人：	劉斌;黃輝巍;陳正飛;楊紅進	申請（專利權）人：	江蘇順風新能源科技有限公司
主分類號：	H01L31/0216	分類號：	H01L31/0216;H01L31/04
代理公司：	常州知融專利代理事務所(普通合伙) 32302	代理人：	路接洲
地址：	213000 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	perc 電池結構
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【權利要求書】：

1.一種單晶PERC電池結構，具有硅片本體，其特征在于：所述的硅片本體的正面自下而上分別設置有熱氧化SiOx層、管式PECVD正面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD正面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD正面鍍膜頂層SiOx層；所述的硅片本體的背面自上而下分別設置有ALD氧化鋁鈍化層、管式PECVD背面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD背面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD背面鍍膜頂層SiNx層。

2.如權利要求1所述的單晶PERC電池結構，其特征在于：所述的硅片本體的正面設置的熱氧化SiOx層的厚度為1-3nm，硅片本體的背面設置的ALD氧化鋁鈍化層的厚度為2-5nm。

3.如權利要求1所述的單晶PERC電池結構，其特征在于：所述的管式PECVD正面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD正面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD正面鍍膜頂層SiOx層的總膜厚為70-90nm，折射率為1.9-2.1；管式PECVD正面鍍膜底層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為5-30nm；管式PECVD正面鍍膜中間單層或多層SiNx層，總膜厚為30-70nm，折射率為1.9-2.3；管式PECVD正面鍍膜頂層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為10-40nm。

4.如權利要求1所述的單晶PERC電池結構，其特征在于：所述的管式PECVD背面鍍膜底層SiOx層、管式PECVD背面鍍膜中間單層或多層SiNx層以及管式PECVD背面鍍膜頂層SiNx層的總膜厚為100-200nm，折射率為1.9-2.1；管式PECVD背面鍍膜底層底層SiOx層的折射率為1.4-1.65，厚度為5-25nm；管式PECVD背面鍍膜中間單層或多層SiNx層，總膜厚為40-80nm，折射率為1.9-2.3；管式PECVD背面鍍膜頂層SiNx層為單層或多層SiNx層，總膜厚為40-80nm，折射率為1.9-2.3。

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