[實用新型]一種新型批處理清洗機有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921419610.X | 申請日: | 2019-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN210349786U | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李君;顧立勛;蘇界 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 李洋;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢市洪山區(qū)東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 新型 批處理 清洗 | ||
本實用新型公開了一種批處理清洗機,包括制程槽,第一進酸管路和第二進酸管路,其特征在于,所述第一進酸管路和第二進酸管路平行地設(shè)置在所述制程槽的底部且分別與所述制程槽的底部平行,以使得進入所述制程槽的清洗液相向平行地流動。本實用新型的批處理清洗機通過從兩側(cè)供酸可以減少晶圓與晶圓之間的濃度梯度和溫度梯度,能夠增加制程槽內(nèi)的清洗液的均勻性和穩(wěn)定性,因此提高晶圓的良率。
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,尤其是涉及一種新型批處理清洗機。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體制程中,最頻繁的步驟之一是晶圓的清洗,其通常是將帶有二氧化硅或氮化硅的晶圓置于批處理清洗機(WET Batch)中對晶圓進行濕法清洗,其中在清洗機的制程槽中常常裝盛有酸性溶液,尤其是磷酸,其被廣泛地應(yīng)用于去除附著于晶圓表面上的有機化合物、金屬雜質(zhì)或微粒等污染物。這些污染物對后續(xù)制程影響非常大,例如,金屬雜質(zhì)的污染會造成p-n漏電、縮短少數(shù)載流子的壽命、降低柵極氧化層的崩潰電壓。微粒的附著則會影響微影工藝圖案轉(zhuǎn)移的真實性,甚至造成電路結(jié)構(gòu)短路。因此,清洗對于晶圓制程相當(dāng)重要。
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中批處理清洗機的示意圖,其中,位于批處理清洗機的制程槽的底部一側(cè)設(shè)置有一個酸液進口,并且在該進口處,酸的管路被布置成分為兩路,隨后,該管路延伸至制程槽的底部另一側(cè)。由于晶圓在制程槽內(nèi)的通常布置為垂直于水平面擱置,因此,這種進酸方式無法滿足晶圓的清洗的均勻性,此外在批處理制程槽中一次性處理多達50片晶圓,這對制程槽內(nèi)所有晶圓批處理清洗的均勻性提出了挑戰(zhàn)。
因此,有必要提出一種新型的批處理清洗機來解決上述問題。
實用新型內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型提出了一種批處理清洗機,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中批處理清洗機對晶圓的清洗的均勻性不佳的問題。
為達到上述目的,本實用新型提供了一種批處理清洗機,所述批處理清洗機包括,制程槽、第一進酸管路和第二進酸管路,其特征在于,所述第一進酸管路和第二進酸管路平行地設(shè)置在所述制程槽的底部且分別與所述制程槽的底部平行,以使得進入所述制程槽的液體相向流動。
根據(jù)一個實施方式,所述第一進酸管路和第二進酸管路的表面包含多個噴液口。
根據(jù)一個實施方式,所述第一進酸管路和第二進酸管路分別進一步設(shè)置有流量計以用于監(jiān)控所述第一進酸管路和第二進酸管路的流量。
根據(jù)一個實施方式,所述第一進酸管路和第二進酸管路分別進一步設(shè)置有閥門,以用于控制所述第一進酸管路和第二進酸管路的流量。
根據(jù)一個實施方式,所述批處理清洗機進一步設(shè)置有一個或多個多個排液管和/或排液口,以用于排空所述制程槽的清洗液。
根據(jù)一個實施方式,所述批處理清洗機進一步設(shè)置有液位計和/液位傳感器,以用于監(jiān)控所述制程槽中清洗液的液位。
根據(jù)一個實施方式,所述批處理清洗機進一步設(shè)置有一個或多個溢流口。
本實用新型的批處理清洗機通過位于制程槽的底部的對稱設(shè)置的進酸管路,通過從兩側(cè)供酸可以減少晶圓與晶圓之間的濃度梯度和溫度梯度,因此能夠增加制程槽內(nèi)的清洗液的均勻性和穩(wěn)定性,縮小降低晶圓之間的蝕刻率的差,從而提高晶圓表面的清洗效果,并提高了晶圓的一致性,提高晶圓的良率。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)批處理清洗機的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實用新型批處理清洗機的結(jié)構(gòu)示意圖;
具體實施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





