[實用新型]一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路

有效

• 申請號: 201921405424.0
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN210517784U
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 劉昌健;李建華;謝錦濤;胡朝綱;李潯;彭云龍;游彬;胡逸;徐明萌;吳皓晨
• 申請（專利權）人: 江西洪都航空工業集團有限責任公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02M1/32;H02M3/00
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 杜永保

本實用新型涉及一種電源的浪涌抑制電路，特別是涉及一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路。采用穩壓二極管和電阻串聯構成基準電壓產生電路，用一個增強型N溝道增強型MOSFET和一個P溝道增強型MOSFET及三個電阻，構成負反饋電路，基準電壓產生電路和負反饋電路構成直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路。該電路只采用七只分立元器件，七只元器件的單價均較低，且器件均為普通電子元器件，降低了寬脈沖浪涌抑制電路的成本，且該電路效率高消耗的能量少。該電路可以用于類似的應用場景，具有一定的普適性。

技術領域

本實用新型涉及一種電源的浪涌抑制電路，特別是涉及一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路。

背景技術

在一些直流大功率電源應用場合，要求電源能夠抗住幾十毫秒的電壓浪涌，由于浪涌持續幾十毫秒，稱之為寬脈沖浪涌，要求電路器件不損壞，電源能夠正常的輸出。

一般的直流浪涌抑制電路采用的是TVS管或采用壓敏電阻，這種浪涌抑制電路難以抑制幾十毫秒的寬脈沖電壓浪涌，會導致器件損壞，電源無法正常輸出。或者采用直流浪涌抑制模塊，但是該模塊的單價高昂。

本文提出了一種低成本、高可靠的解決方案，采用分立器件組成了一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路。該電路在沒有浪涌輸入的條件下，基本不消耗能量，在有浪涌輸入的條件下，將浪涌能量消耗在浪涌抑制電路上，減小浪涌對后級電路的沖擊。

發明內容

本實用新型目的：

提出一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，解決寬脈沖浪涌抑制的問題，降低寬脈沖浪涌抑制電路的成本，提高浪涌抑制電路的效率。

本實用新型技術方案：

一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，采用穩壓二極管和電阻串聯構成基準電壓產生電路，用一個增強型N溝道增強型MOSFET和一個P溝道增強型MOSFET及三個電阻，構成負反饋電路，基準電壓產生電路和負反饋電路構成直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路。

所述基準電壓產生電路包括電阻R1，穩壓二極管；電阻R1的一端與正電源輸入端相連，電阻R1的另一端與穩壓二極管的陰極相連，穩壓二極管的陽極與電源地相連。

所述負反饋電路包括電阻R2，N溝道增強型MOSFET，P溝道增強型MOSFET，電阻R3，電阻R4；N溝道增強型MOSFET的漏極與電阻R2及P溝道增強型MOSFET的柵極相連，電阻R2的另一端、P溝道增強型MOSFET的源極與輸入電源的正極相連，電阻R3的一端和P溝道增強型MOSFET的漏極相連構成寬脈沖浪涌抑制電路的輸出端，電阻R3的另一端和電阻R4的一端與N溝道增強型MOSFET的源極相連，電阻R4的另一端與電源地相連。

所述穩壓二極管的陰極與N溝道增強型MOSFET柵極相連。

所述器件為分立元器件。

所述P溝道增強型MOSFET為低阻值、大功率MOSFET管。

所述穩壓二極管為高精度穩壓二極管。

所述抑制電路為負反饋電路。

本實用新型的有益效果：該電路只采用七只分立元器件，七只元器件的單價均較低，且器件均為普通電子元器件，降低了寬脈沖浪涌抑制電路的成本，且該電路效率高消耗的能量少。該電路可以用于類似的應用場景，具有一定的普適性。

附圖說明

圖1直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路示意圖

1-正電源輸入端，2-電源地，3-電阻R1，4-穩壓二極管，5-電阻R2，6-N溝道增強型MOSFET，7-P溝道增強型MOSFET，8-電阻R3，9-電阻R4

具體實施方式