[實用新型]一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路

有效

• 申請號: 201921405424.0
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN210517784U
• 公開（公告）日: 2020-05-12
• 發明（設計）人: 劉昌健;李建華;謝錦濤;胡朝綱;李潯;彭云龍;游彬;胡逸;徐明萌;吳皓晨
• 申請（專利權）人: 江西洪都航空工業集團有限責任公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02M1/32;H02M3/00
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 杜永保

1.一種直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，采用穩壓二極管和電阻串聯構成基準電壓產生電路，用一個增強型N溝道增強型MOSFET和一個P溝道增強型MOSFET及三個電阻，構成負反饋電路，基準電壓產生電路和負反饋電路構成直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路。

2.如權利要求1所述的直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，所述基準電壓產生電路包括電阻R1，穩壓二極管；電阻R1的一端與正電源輸入端相連，電阻R1的另一端與穩壓二極管的陰極相連，穩壓二極管的陽極與電源地相連。

3.如權利要求1所述的直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，所述負反饋電路包括電阻R2，N溝道增強型MOSFET，P溝道增強型MOSFET，電阻R3，電阻R4；N溝道增強型MOSFET的漏極與電阻R2及P溝道增強型MOSFET的柵極相連，電阻R2的另一端、P溝道增強型MOSFET的源極與輸入電源的正極相連，電阻R3的一端和P溝道增強型MOSFET的漏極相連構成寬脈沖浪涌抑制電路的輸出端，電阻R3的另一端和電阻R4的一端與N溝道增強型MOSFET的源極相連，電阻R4的另一端與電源地相連。

4.如權利要求1所述的直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，所述穩壓二極管的陰極與N溝道增強型MOSFET柵極相連。

5.如權利要求1所述的直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，所述P溝道增強型MOSFET為低阻值、大功率MOSFET管。

6.如權利要求1所述的直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，所述穩壓二極管為高精度穩壓二極管。

7.如權利要求1所述的直流大功率電源寬脈沖浪涌抑制電路，其特征在于，所述抑制電路為負反饋電路。