[實(shí)用新型]集成磁隔離芯片的邊沿檢測(cè)電路及邊沿轉(zhuǎn)換電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921367598.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210958308U | 公開(公告)日: | 2020-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王佐;袁思彤;文守甫;王建斌;羅和平;程瑜;李威 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 宜賓市敘芯半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03K5/125 | 分類號(hào): | H03K5/125;H03K5/06 |
| 代理公司: | 成都惠迪專利事務(wù)所(普通合伙) 51215 | 代理人: | 劉勛 |
| 地址: | 644000 四川省宜賓市*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成 隔離 芯片 邊沿 檢測(cè) 電路 轉(zhuǎn)換 | ||
1.集成磁隔離芯片的邊沿檢測(cè)電路,其特征在于,包括:
第一PMOS管(M1),其源極接參考高電平,漏極接第二PMOS管(M2)的源極,柵極接信號(hào)輸入端和第一輸出點(diǎn)(N1);
第二PMOS管(M2),其漏極接第二輸出點(diǎn)(N2),其柵極接第三PMOS管(M3)的柵極和漏極;
第三PMOS管(M3),其源極接參考高電平,其漏極通過第一電流源接地;
第四NMOS管(M4),其源極接地,柵極和漏極接第五NMOS管的柵極,漏極還接第二電流源的輸出端;
第五NMOS管(M5),其源極接第六NMOS管(M6)的漏極,其漏極接第二輸出點(diǎn)(N2),漏極還通過電容(C2)接地;
第六NMOS管(M6),其源極接地,柵極接信號(hào)輸入端。
2.具有權(quán)利要求1所述的集成磁隔離芯片的邊沿檢測(cè)電路的邊沿轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,所述第一輸出點(diǎn)(N1)連接與門的第一輸入端,第二輸出點(diǎn)(N2)連接與門的第二輸入端,與門的輸出端作為上升沿短脈沖的輸出端。
3.如權(quán)利要求2所述的邊沿轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,第一輸出點(diǎn)(N1)通過兩個(gè)串聯(lián)的非門連接與門的第一輸入端,第二輸出點(diǎn)(N2)通過兩個(gè)串聯(lián)的非門連接與門的第二輸入端。
4.具有權(quán)利要求1所述的集成磁隔離芯片的邊沿檢測(cè)電路的邊沿轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,所述第一輸出點(diǎn)(N1)連接或非門的第一輸入端,第二輸出點(diǎn)(N2)連接或非門的第二輸入端,或非門的輸出端作為下降沿短脈沖的輸出端。
5.如權(quán)利要求4所述的邊沿轉(zhuǎn)換電路,其特征在于,第一輸出點(diǎn)(N1)通過兩個(gè)串聯(lián)的非門連接或非門的第一輸入端,第二輸出點(diǎn)(N2)通過兩個(gè)串聯(lián)的非門連接或非門的第二輸入端。
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