[實用新型]極紫外光光罩基底及極紫外光光罩

有效

• 申請號: 201921367351.0
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN211454228U
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 李建新;曾依蕾;楊忠憲
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本實用新型公開了一種極紫外光光罩基底及極紫外光光罩。該極紫外光光罩基底包括：基板，其包括熱電材料；導熱層，其形成于基板上；以及反射層，其形成于導熱層上。本實用新型通過在極紫外光光罩基底設置基底、形成于基板上的導熱層以及形成于導熱層上的反射層，使包含該基底的極紫外光光罩在吸收極紫外光后，將累計的熱能傳導至反射層，反射層將熱能傳導至導熱層，導熱層將熱能傳導至基板，包含熱電材料的基板將熱能轉化為電能，從而降低了熱能在極紫外光光罩中的積累，在一定程度上解決了極紫外光光罩受熱膨脹的問題，提高了采用極紫外光光刻技術的半導體制程的穩定性。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種極紫外光光罩基底及極紫外光光罩。

背景技術

隨著對半導體器件的高密度化和高精度化的進一步要求，為解決這一問題，極紫外光刻(Extreme Ultra Violet Lithography，EUVL，或者被稱為極紫外曝光)技術被提出。

極紫外光刻是一種應用極紫外光(波長10納米至14納米)的光刻技術，可使曝光波長降到13.5納米以下，將光刻技術擴展到32納米以下的特征尺寸。通常，極紫外光光刻技術中，激光發射器將極紫外光照射到極紫外光光罩上后，反射到涂布有光刻膠的晶圓上進行曝光。

然而，由于極紫外光的波長較短，極紫外光光罩吸收到波長較短的極紫外光后，會因為熱能積累導致熱膨脹，從而在一定程度上增加了采用極紫外光光刻技術的半導體制程的不穩定性。

實用新型內容

本實用新型提供了一種極紫外光光罩，可以解決相關技術中提供的極紫外光光罩易受熱膨脹的問題，提高了采用極紫外光。

一方面，本實用新型提供了一種極紫外光光罩基底，包括：

基板，所述基板包括熱電材料；

導熱層，所述導熱層形成于所述基板上；以及

反射層，所述反射層形成于所述導熱層上；

其中，所述反射層用于反射入射的極紫外光，所述導熱層用于將所述反射層產生的熱能傳導至所述基板，所述基板用于將熱能轉化為電能。

可選的，所述熱電材料包括碲化鉍、碲化鉛以及硅鍺中的至少一種。

可選的，所述導熱層包括導熱系數高于1的材料。

可選的，所述導熱系數高于1的材料為絕緣體。

可選的，所述反射層包括依次堆疊的至少一層復合層；

所述復合層包括高折射層與低折射層；

所述高折射層包含的材料的折射率高于所述低折射層包含的材料。

可選的，所述反射層上還形成有釕系保護層。

可選的，所述反射層和所述釕系保護層之間還形成有阻擋層。

可選的，所述阻擋層包括鈦、鋁、鎳、鉑、鉛、鎢、鉬、鈷以及銅中的至少一種金屬元素；或者

所述阻擋層包括所述至少一種金屬元素的氮化物；或者

所述阻擋層包括所述至少一種金屬元素的硅化物；或者

所述阻擋層包括所述至少一種金屬元素的硅氮化物。

另一方面，本實用新型提供了一種極紫外光光罩，包括：

如上任一所述的極紫外光光罩基底；

圖形層，所述圖形層形成于所述極紫外光光罩基底上；以及

導熱板，所述導熱板設置于所述極紫外光光罩基底下。