[實用新型]極紫外光光罩基底及極紫外光光罩

有效

• 申請號: 201921367351.0
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN211454228U
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 李建新;曾依蕾;楊忠憲
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: G03F1/24
• 分類號: G03F1/24
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種極紫外光光罩基底，其特征在于，包括：

基板，所述基板包括熱電材料；

導熱層，所述導熱層形成于所述基板上；以及

反射層，所述反射層形成于所述導熱層上；

其中，所述反射層用于反射入射的極紫外光，所述導熱層用于將所述反射層產生的熱能傳導至所述基板，所述基板用于將熱能轉化為電能。

2.根據權利要求1所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述熱電材料包括碲化鉍、碲化鉛或者硅鍺。

3.根據權利要求1或2所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述導熱層包括導熱系數高于1的材料。

4.根據權利要求3所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述導熱系數高于1的材料為絕緣體。

5.根據權利要求1或2所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層包括依次堆疊的至少一層復合層；

所述復合層包括高折射層與低折射層；

所述高折射層包含的材料的折射率高于所述低折射層包含的材料。

6.根據權利要求5所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層上還形成有釕系保護層。

7.根據權利要求6所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層和所述釕系保護層之間還形成有阻擋層。

8.根據權利要求7所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述阻擋層包括鈦、鋁、鎳、鉑、鉛、鎢、鉬、鈷、銅、鈦氮化物、鋁氮化物、鎳氮化物、鉑氮化物、鉛氮化物、鎢氮化物、鉬氮化物、鈷氮化物、銅氮化物、鈦硅化物、鋁硅化物、鎳硅化物、鉑硅化物、鉛硅化物、鎢硅化物、鉬硅化物、鈷硅化物、銅硅化物、鈦硅氮化物、鋁硅氮化物、鎳硅氮化物、鉑硅氮化物、鉛硅氮化物、鎢硅氮化物、鉬硅氮化物、鈷硅氮化物或者銅硅氮化物。

9.根據權利要求3所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層包括依次堆疊的至少一層復合層；

所述復合層包括高折射層與低折射層；

所述高折射層包含的材料的折射率高于所述低折射層包含的材料。

10.根據權利要求9所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層上還形成有釕系保護層。

11.根據權利要求10所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層和所述釕系保護層之間還形成有阻擋層。

12.根據權利要求11所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述阻擋層包括鈦、鋁、鎳、鉑、鉛、鎢、鉬、鈷、銅、鈦氮化物、鋁氮化物、鎳氮化物、鉑氮化物、鉛氮化物、鎢氮化物、鉬氮化物、鈷氮化物、銅氮化物、鈦硅化物、鋁硅化物、鎳硅化物、鉑硅化物、鉛硅化物、鎢硅化物、鉬硅化物、鈷硅化物、銅硅化物、鈦硅氮化物、鋁硅氮化物、鎳硅氮化物、鉑硅氮化物、鉛硅氮化物、鎢硅氮化物、鉬硅氮化物、鈷硅氮化物或者銅硅氮化物。

13.根據權利要求4所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層包括依次堆疊的至少一層復合層；

所述復合層包括高折射層與低折射層；

所述高折射層包含的材料的折射率高于所述低折射層包含的材料。

14.根據權利要求13所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層上還形成有釕系保護層。

15.根據權利要求14所述的極紫外光光罩基底，其特征在于，所述反射層和所述釕系保護層之間還形成有阻擋層。