[實用新型]一種晶體取出裝置

有效

• 申請號: 201921364817.1
• 申請日: 2019-08-20
• 公開（公告）號: CN211005718U
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 萬冠軍;劉星;柏文文;張亮;李斌;張健;許登基
• 申請（專利權）人: 山東天岳先進材料科技有限公司
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/00
• 代理公司: 濟南千慧專利事務所(普通合伙企業) 37232
• 代理人: 韓玉昆

本實用新型提供了一種晶體取出裝置，包括：筒體，其內側壁具有向內凸出的臺階，所述臺階用于放置附著晶體裝置，所述筒體的頂端對稱固設有多個彈簧；壓蓋，其外側具有邊沿，中部設置有按壓晶體的凸臺，所述邊沿和凸臺之間形成凹槽，所述邊沿端部設置有多個拆卸連接所述彈簧的孔槽。本申請采用筒體和壓蓋結構，在筒體臺階處放入附著晶體的裝置后，壓蓋的凸臺作用于晶體上，使晶體脫落滑動，可方便的取出晶體。本申請通過筒體和壓蓋中間的彈簧，使凸臺的力均勻作用于晶體上，防止晶體取出過程中晶體開裂。本申請的裝置結構簡單，可方便的取出晶體，能夠防止晶體取出過程中晶體開裂，保證取出的晶體的完好性及提高了工作效率。

技術領域

本實用新型涉及一種晶體取出裝置，屬于晶體生產用設備領域。

背景技術

碳化硅(SiC)單晶具有高導熱率、高擊穿電壓、載流子遷移率極高、化學穩定性很高等優良的半導體物理性質，可以制作成在高溫、強輻射條件下工作的高頻、高功率電子器件和光電子器件，在國防、高科技、工業生產、供電、變電領域有巨大的應用價值，被看作是極具發展前景的第三代寬禁帶半導體材料。

目前，物理氣相沉積法（PVT）是生長碳化硅晶體通常使用的方法，該方法中以碳化硅粉末為原材料，將坩堝中的碳化硅粉末加熱到一定溫度就會顯著升華，而分解的碳化硅氣體會沿著溫度梯度輸運并在碳化硅籽晶處凝聚。通常，將籽晶放置在中空貫通的籽晶托架上端，籽晶托架放置在坩堝體上部，蓋上坩堝蓋；或者將籽晶直接置于坩堝體上端，再蓋上坩堝蓋，用于籽晶的生長。晶體生長結束后，需要取出晶體，附著在坩堝體或籽晶托架上的晶體，目前全靠手工在操作臺上撞擊坩堝體或籽晶托架取出，易造成晶體開裂，效率低。現有技術中，還沒有一種將坩堝體或籽晶托架中的晶體取出的裝置。

實用新型內容

為了解決上述問題，本申請提供了一種晶體取出裝置，避免了依靠手工在操作臺上撞擊取出晶體的弊端，防止取晶體過程晶體開裂及提高了工作效率。

本申請采用的技術方案如下：

一種晶體取出裝置，包括：

筒體，其內側壁具有向內凸出的臺階，所述臺階用于放置附著晶體裝置，所述筒體的頂端對稱固設有多個彈簧；

壓蓋，其外側具有邊沿，中部設置有按壓晶體的凸臺，所述邊沿和凸臺之間形成凹槽，所述邊沿端部設置有多個拆卸連接所述彈簧的孔槽。

進一步的，所述臺階為L形臺階，L形臺階的寬度等于或小于附著晶體裝置的厚度，L形臺階的高度小于附著晶體裝置的高度。

進一步的，所述壓蓋的外徑與筒體的外徑大致相等。

進一步的，所述邊沿的高度小于凸臺的高度，邊沿的厚度小于筒體上部的厚度。

進一步的，所述彈簧的數量為4個。

進一步的，所述筒體的外部套設有外殼，外殼的高度大致相等于筒體與壓蓋的高度之和。

進一步的，所述筒體的頂端開口，底部鋪設有泡沫棉。

進一步的，所述附著晶體裝置為坩堝或中空貫通的籽晶托架。

進一步的，所述壓蓋的頂部設置有T形手柄。

進一步的，所述筒體為中空的圓柱體，凸臺為實心圓柱體。

本申請的有益效果為：本申請采用筒體和壓蓋結構，在筒體臺階處放入附著晶體的裝置后，壓蓋的凸臺作用于晶體上，使晶體脫落滑動，可方便的取出晶體；通過筒體和壓蓋中間的彈性件，使凸臺的力均勻作用于晶體上，防止晶體取出過程中晶體開裂。本申請的裝置結構簡單，可方便的取出晶體，能夠防止晶體取出過程中晶體開裂，保證取出的晶體的完好性及提高了工作效率。

附圖說明