[實用新型]一種單晶硅制絨裝置

有效

• 申請號: 201921360036.5
• 申請日: 2019-08-21
• 公開（公告）號: CN210296311U
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 陳燕;常紀鵬;何鳳琴;張志郢;楊超;王冬冬;張敏;李得銀
• 申請（專利權）人: 青海黃河上游水電開發有限責任公司光伏產業技術分公司;黃河水電光伏產業技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司 31001
• 代理人: 翁若瑩

本實用新型公開了一種單晶硅制絨裝置，將硅片依次進行前酸清洗→純水清洗→預清洗→粗拋→堿清洗→純水清洗→制絨→純水清洗→后清洗→純水清洗→后酸清洗→純水清洗→慢提拉→烘干處理。本實用新型可以有效解決絨面臟污問題，同時制備的金字塔大小均勻、尺寸一致且密集分布于硅片表面，絨面反射率低。而且制絨工序整體時間短，提高了產量。

技術領域

本實用新型涉及一種單晶硅制絨裝置，屬于晶硅太陽電池制造技術領域。

背景技術

目前太陽電池朝著高效低成本方向發展，電池效率不斷提高。太陽電池要獲得良好的光電轉換效率就需要有更多的太陽光進入到太陽電池內部而不被反射掉。因此就需要制備反射率更低，且符合后道工序的絨面結構。目前產業上單晶硅的絨面制備方法大多為堿制絨，但是制絨過程中會出現白點、齒印，臟污清洗不干凈，絨面反射率較大，金字塔尺寸不均勻及制絨工序時間較長等缺點。

發明內容

本實用新型要解決的技術問題是：解決了如何減少在制絨過程中硅片表面的臟污，降低絨面的反射率，使得金字塔尺寸均勻及減少制絨工序時間的問題。

為了解決上述技術問題，本實用新型的技術方案是提供了一種單晶硅制絨裝置，其特征在于，包括對原始硅片進行前酸清洗的前酸洗槽、對前酸清洗后的硅片進行第一次純水清洗的第一純水清洗槽、對第一次純水清洗后的硅片進行表面預清洗處理的前清洗槽、對預清洗處理后的硅片進行粗拋處理的粗拋槽、對粗拋后的硅片進行堿清洗處理的堿清洗槽、對堿清洗處理后的硅片進行第二次純水清洗的第二純水清洗槽、對第一次純水清洗后的硅片進行制絨處理的制絨槽、對制絨后的硅片進行第三次純水清洗的第三純水清洗槽、對第三次純水清洗后的硅片進行表面后清洗處理的后清洗槽、對表面后清洗的硅片進行第四次純水清洗的第四純水清洗槽、對第四次純水清洗后的硅片進行后酸清洗處理的后酸洗槽、對后酸清洗處理后的硅片進行第五次純水清洗的第五純水清洗槽、對第五次純水清洗后的硅片進行預脫水的慢提拉槽、對預脫水后的硅片進行烘干處理的烘干槽。

本實用新型公開了一種單晶硅制絨裝置，將硅片依次進行前酸清洗→純水清洗→預清洗→粗拋→堿清洗→純水清洗→制絨→純水清洗→后清洗→純水清洗→后酸清洗→純水清洗→慢提拉→烘干處理。

本實用新型分別使用酸溶液以及多次純水處理，可以有效解決絨面臟污問題，通過堿溶液分別進行粗拋和制絨，制備的金字塔大小均勻、尺寸一致且密集分布于硅片表面，絨面反射率低。而且制絨工序整體時間短，提高了產量。

附圖說明

圖1為一種單晶硅制絨工藝的流程圖；

圖2為一種單晶硅制絨裝置的示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型更明顯易懂，茲以優選實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

實施例1

如圖1所示，一種單晶硅制絨工藝，包括以下步驟：

步驟(1)、將需要制絨的原始硅片放入到酸洗槽進行前酸清洗處理。HF體積濃度為4％。HCL體積濃度5％，其余為純水。酸清洗的溫度為20℃，時間為 60S，同時進行循環鼓泡。

步驟(2)、將步驟(1)酸洗后的硅片放入到第一純水清洗槽進行純水清洗。純水清洗的時間為60S，溫度為25℃。

步驟(3)、在前清洗槽將步驟(2)純水清洗后的硅片進行表面預清洗處理。前清洗槽內的溶液為NaOH與H₂O₂的混合溶液；NaOH與H₂O₂的混合溶液中， NaOH的質量濃度為0.4％，H₂O₂的質量濃度為2％。前清洗槽內的溫度為60℃，時間為80S，同時進行循環鼓泡。