[實用新型]一種半導體發光器件有效

申請號：	201921358732.2	申請日：	2019-08-21
公開（公告）號：	CN210092086U	公開（公告）日：	2020-02-18
發明（設計）人：	戴俊;李志聰;王國宏	申請（專利權）人：	揚州中科半導體照明有限公司
主分類號：	H01L27/15	分類號：	H01L27/15;H01L27/32;H01L33/00;H01L33/08;H01L51/56
代理公司：	揚州市錦江專利事務所 32106	代理人：	江平
地址：	225009 江***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種半導體發光器件
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【權利要求書】：

1.一種半導體發光器件，在襯底上順序設置緩沖層、非故意摻雜GaN層和n型摻雜GaN層，在n型摻雜GaN層上分別設置n型電極、絕緣介質掩膜層、藍光LED發光結構層、綠光LED發光結構層和紅光OLED發光結構層，在所述藍光LED發光結構層、綠光LED發光結構層和紅光OLED發光結構層表面分別設置p型電極；其特征在于：所述藍光LED發光結構層、綠光LED發光結構層和紅光OLED發光結構層間隔地分布在絕緣介質掩膜層之間；所述藍光LED發光結構層自下而上包括：InGaN/GaN藍光多量子阱有源層、電子阻擋層、p型摻雜GaN層和透明導電層；所述綠光LED發光結構層自下而上包括：InGaN/GaN綠光多量子阱有源層、電子阻擋層、p型摻雜GaN層和透明導電層；所述紅光OLED發光結構層自下而上包括：第一透明導電層、電子傳輸層、紅光有機發光層、空穴傳輸層和第二透明導電層。

2.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于：所述藍光LED發光結構層的寬度為1～100μm。

3.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于：所述綠光LED發光結構層的寬度為1～100μm。

4.根據權利要求1所述的半導體發光器件，其特征在于：所述紅光OLED發光結構層的寬度為1～100μm。

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