[實用新型]靶材利用率改善型濺射源及氣相沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921337272.5
• 申請日: 2019-08-16
• 公開（公告）號: CN210974857U
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢濤;錢政羽;吳其濤
• 申請（專利權(quán)）人: 星弧涂層新材料科技(蘇州)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 南京艾普利德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32297
• 代理人: 陸明耀;顧祥安

本實用新型揭示了靶材利用率改善型濺射源及氣相沉積設(shè)備，其中靶材利用率改善型濺射源包括支柱，所述支柱上共軸設(shè)置有磁體座，所述磁體座上設(shè)置有磁體，所述支柱的外周共軸且間隙設(shè)置有可相對其自轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)套，所述旋轉(zhuǎn)套上共軸設(shè)置有套裝在磁體座外周且與磁體座保持間隙的靶材固定套，所述靶材固定套上設(shè)置有靶材。本方案設(shè)計精巧，采用使靶材轉(zhuǎn)動，磁體不轉(zhuǎn)動的方式來代替現(xiàn)有的靶材固定，磁體轉(zhuǎn)動的方式，改變了慣用思維方式，可以使靶材的各區(qū)域能夠被均勻的轟擊，從而有效的提高靶材的利用率，避免靶材的浪費，降低生產(chǎn)成本；同時適用于圓環(huán)形的靶材的使用，能夠有效的提高工作效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及氣相沉積領(lǐng)域，尤其是靶材利用率改善型濺射源及氣相沉積設(shè)備。

背景技術(shù)

磁控濺射是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優(yōu)點。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

常規(guī)濺射源使靶材固定，通過磁控管的轉(zhuǎn)動從而在靶材區(qū)域內(nèi)進行高速移動掃描，以實現(xiàn)對靶材各個區(qū)域的濺射、提高靶材的利用率。

通常磁控管的運行軌跡范圍無法覆蓋整個靶材區(qū)域，而且既使在磁控管軌跡所覆蓋的區(qū)域內(nèi)磁控管的掃描軌跡的密度也不均勻，具體表現(xiàn)為，靠近靶材中心的軌跡較密，而靠近靶材邊緣的軌跡密度則較小。基于上述原因，勢必將造成靶材的消耗速率的差異，當(dāng)消耗速率較快的靶材區(qū)域被用盡之后，整個靶材即要作廢，而靶材上未被消耗及未被用盡的區(qū)域無法被繼續(xù)使用，從而造成靶材的嚴重浪費。由于靶材價格非常昂貴，如果不能達到較高的靶材利用率將給企業(yè)造成巨大的成本負擔(dān)。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的就是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，提供一種靶材利用率改善型濺射源及氣相沉積設(shè)備。

本實用新型的目的通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)：

靶材利用率改善型濺射源，包括支柱，所述支柱上共軸設(shè)置有磁體座，所述磁體座上設(shè)置有磁體，所述支柱的外周共軸且間隙設(shè)置有可相對其自轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)套，所述旋轉(zhuǎn)套上共軸設(shè)置有套裝在磁體座外周且與磁體座保持間隙的靶材固定套，所述靶材固定套上設(shè)置有靶材。

優(yōu)選的，所述的靶材利用率改善型濺射源中，所述支柱與所述磁體座相對的一端插接，且它們相對的連接盤通過鎖定件鎖定。

優(yōu)選的，所述的靶材利用率改善型濺射源中，所述鎖定件包括兩個組合成環(huán)狀的C形構(gòu)件，兩個所述構(gòu)件的內(nèi)壁形成有位置對應(yīng)的兩道半圓形的凸條，一個凸條可嵌入到所述支柱頂部的卡槽中，另一條凸條可嵌入所述磁體座底部的卡接槽中。

優(yōu)選的，所述的靶材利用率改善型濺射源中，所述旋轉(zhuǎn)套通過兩個間隙設(shè)置的軸承連接所述支柱，且所述旋轉(zhuǎn)套和所述支柱之間還設(shè)置有至少一限位環(huán)。

優(yōu)選的，所述的靶材利用率改善型濺射源中，所述旋轉(zhuǎn)套的頂部具有對接盤，所述對接盤與一卡環(huán)對接，它們配合形成一錐臺狀凸緣，且所述卡環(huán)的內(nèi)孔為沉孔，其靠近對接盤的一端的直徑大于相對的另一端的直徑，且所述卡環(huán)及對接盤通過限位圈鎖定；所述靶材固定套的側(cè)壁靠近底部的區(qū)域形成有卡槽，其底部延伸到所述對接盤與卡環(huán)的銜接面處，所述旋轉(zhuǎn)套、對接盤及靶材固定套圍合形成一空間，所述空間處設(shè)置有限位條。

優(yōu)選的，所述的靶材利用率改善型濺射源中，所述磁體座和靶材固定套之間的間隙在2-3mm之間。

優(yōu)選的，所述的靶材利用率改善型濺射源中，所述支柱與磁體座上設(shè)置有連通的冷卻通道。

氣相沉積設(shè)備，包括上述任一的靶材利用率改善型濺射源，所述靶材利用率改善型濺射源的旋轉(zhuǎn)套連接驅(qū)動其自轉(zhuǎn)的動力機構(gòu)。

本實用新型技術(shù)方案的優(yōu)點主要體現(xiàn)在：