[實用新型]靶材利用率改善型濺射源及氣相沉積設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921337272.5
• 申請日: 2019-08-16
• 公開（公告）號: CN210974857U
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 錢濤;錢政羽;吳其濤
• 申請（專利權(quán)）人: 星弧涂層新材料科技(蘇州)股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 南京艾普利德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32297
• 代理人: 陸明耀;顧祥安

1.靶材利用率改善型濺射源，其特征在于：包括支柱（1），所述支柱（1）上共軸設(shè)置有磁體座（2），所述磁體座（2）上設(shè)置有磁體（3），所述支柱（1）的外周共軸且間隙設(shè)置有可相對其自轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)套（4），所述旋轉(zhuǎn)套（4）上共軸設(shè)置有套裝在磁體座（2）外周且與磁體座（2）保持間隙的靶材固定套（5），所述靶材固定套（5）上設(shè)置有靶材（6）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶材利用率改善型濺射源，其特征在于：所述支柱（1）與所述磁體座（2）相對的一端插接，且它們相對的連接盤通過鎖定件（7）鎖定。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靶材利用率改善型濺射源，其特征在于：所述鎖定件（7）包括兩個組合成環(huán)狀的C形構(gòu)件，兩個所述構(gòu)件的內(nèi)壁形成有位置對應(yīng)的兩道半圓形的凸條，每個構(gòu)件的一個凸條可嵌入到所述支柱（1）頂部的卡槽（11）中，另一條凸條可嵌入所述磁體座（2）底部的卡接槽（21）中。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶材利用率改善型濺射源，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)套（4）通過兩個間隙設(shè)置的軸承（8）連接所述支柱（1），且所述旋轉(zhuǎn)套（4）和所述支柱（1）之間還設(shè)置有至少一限位環(huán)（9）。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶材利用率改善型濺射源，其特征在于：所述旋轉(zhuǎn)套（4）的頂部具有對接盤（41），所述對接盤（41）與一卡環(huán)（10）對接，它們配合形成一錐臺狀凸緣（20），所述卡環(huán)（10）的內(nèi)孔為沉孔，其靠近對接盤（41）的一端的直徑大于相對的另一端的直徑，且所述卡環(huán)（10）及對接盤（41）通過限位圈（70）鎖定；所述靶材固定套（5）的側(cè)壁靠近底部的區(qū)域形成有卡槽（51），其底部延伸到所述對接盤與卡環(huán)（10）的銜接面處，所述旋轉(zhuǎn)套（4）、對接盤（41）及靶材固定套（5）圍合形成一空間（30），所述空間（30）處設(shè)置有限位條。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶材利用率改善型濺射源，其特征在于：所述磁體座（2）和靶材固定套（5）之間的間隙在2-3mm之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靶材利用率改善型濺射源，其特征在于：所述支柱（1）與磁體座（2）上設(shè)置有連通的冷卻通道（40）。

8.氣相沉積設(shè)備，其特征在于:包括權(quán)利要求1-7任一所述的靶材利用率改善型濺射源，所述靶材利用率改善型濺射源的旋轉(zhuǎn)套（4）連接驅(qū)動其自轉(zhuǎn)的動力機(jī)構(gòu)。