[實用新型]一種射頻芯片有效
| 申請號： | 201921304049.0 | 申請日： | 2019-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN210136503U | 公開（公告）日： | 2020-03-10 |
| 發明（設計）人： | 趙衛軍;王小保 | 申請（專利權）人： | 上海獵芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | G06K19/077 | 分類號： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 柳巖 |
| 地址： | 200083 上海市虹口區花*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 芯片 | ||
本實用新型公開了一種射頻芯片，包括第一基板，設置在第一基板上的射頻放大IC電路，用于為所述射頻放大IC電路提供阻抗匹配的射頻匹配電路；所述射頻匹配電路包括第一電容、第二電容、第一電感、以及第二電感；所述射頻匹配電路的第一電容、第二電容、以及第一電感集成在所述射頻放大IC電路中；所述射頻匹配電路的第二電感設置在所述射頻放大IC電路的外部。
技術領域
本實用新型涉及通信技術，尤其涉及一種射頻芯片。
背景技術
射頻芯片多屬于典型的SiP封裝器件(System in Package，系統級封裝)。射頻芯片內部主要包括射頻放大IC電路(Integrated Circuit，集成電路)和相應的射頻匹配電路以及其它器件。射頻放大IC電路、射頻匹配電路和其它器件設置在共同的襯底基板上，該共同的襯底基板含有多層金屬走線，以實現電路之間的相互連接。
為了適應電子設備小型化的發展趨勢，有必要提出一種集成度更高的射頻芯片。
實用新型內容
本實用新型的一個目的是提供一種集成度更高的射頻芯片。
根據本實用新型實施例的第一方面，提供了一種射頻芯片，包括第一基板，設置在第一基板上的射頻放大IC電路，用于為所述射頻放大IC電路提供阻抗匹配的射頻匹配電路；
所述射頻匹配電路包括第一電容、第二電容、第一電感、以及第二電感；
所述射頻匹配電路的第一電容、第二電容、以及第一電感集成在所述射頻放大IC電路中；
所述射頻匹配電路的第二電感設置在所述射頻放大IC電路的外部。
可選地或優選地，所述第一電容和/或所述第二電容為MIM電容。
可選地或優選地，所述第一電感的電感值小于所述第二電感的電感值。
可選地或優選地，所述第二電感為設置所述第一基板上的繞線電感或者為設置在所述第一基板上的SMD電感。
可選地或優選地，所述第一電感為并聯的多根跳線。
可選地或優選地，所述第一電容的第一端與所述射頻放大電路的射頻信號輸出端連接，所述第一電容的第二端與所述第二電感的第一端連接；
所述第一電感的第一端連接至所述第二電感的第一端，所述第一電感的第二端接地；
所述第二電容的第一端連接至所述第二電感的第二端，所述第二電容的第二端接地。
可選地或優選地，所述射頻匹配電路還包括第三電容，所述第三電容集成在所述射頻放大IC電路中；
所述第一電感的第一端與所述射頻放大電路的射頻信號輸出端連接，所述第一電感的第二端與所述第二電感的第一端連接；
所述第一電容的第一端連接至所述第二電感的第一端，所述第一電容的第二端接地；
所述第二電容的第一端連接至所述第二電感的第二端，所述第二電容的第二端接地；
所述第三電容的第一端連接至所述第二電感的第二端。
可選地或優選地，所述第三電容為MIM電容。
可選地或優選地，所述第一電感的第一端與所述射頻放大電路的射頻信號輸出端連接，所述第一電感的第二端與所述第二電容的第一端連接；
所述第一電容的第一端連接至所述第二電容的第一端，所述第一電容的第二端接地；
所述第二電感的第一端連接至所述第二電容的第二端，所述第二電感的第二端接地。
可選地或優選地，所述射頻放大IC電路包括第二基板和設置在所述第二基板上的多個射頻放大電路，
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海獵芯半導體科技有限公司，未經上海獵芯半導體科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921304049.0/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：連接座及其燈具固定裝置
- 下一篇：一種射頻前端芯片
