[實用新型]一種射頻芯片有效
| 申請號： | 201921304049.0 | 申請日： | 2019-08-09 |
| 公開（公告）號： | CN210136503U | 公開（公告）日： | 2020-03-10 |
| 發明（設計）人： | 趙衛軍;王小保 | 申請（專利權）人： | 上海獵芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | G06K19/077 | 分類號： | G06K19/077 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉專利代理事務所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 柳巖 |
| 地址： | 200083 上海市虹口區花*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 射頻 芯片 | ||
1.一種射頻芯片，其特征在于，包括第一基板，設置在第一基板上的射頻放大IC電路，用于為所述射頻放大IC電路提供阻抗匹配的射頻匹配電路；
所述射頻匹配電路包括第一電容、第二電容、第一電感、以及第二電感；
所述射頻匹配電路的第一電容、第二電容、以及第一電感集成在所述射頻放大IC電路中；
所述射頻匹配電路的第二電感設置在所述射頻放大IC電路的外部。
2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一電容和/或所述第二電容為MIM電容。
3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一電感的電感值小于所述第二電感的電感值。
4.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第二電感為設置所述第一基板上的繞線電感或者為設置在所述第一基板上的SMD電感。
5.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一電感為并聯的多根跳線。
6.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一電容的第一端與所述射頻放大電路的射頻信號輸出端連接，所述第一電容的第二端與所述第二電感的第一端連接；
所述第一電感的第一端連接至所述第二電感的第一端，所述第一電感的第二端接地；
所述第二電容的第一端連接至所述第二電感的第二端，所述第二電容的第二端接地。
7.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述射頻匹配電路還包括第三電容，所述第三電容集成在所述射頻放大IC電路中；
所述第一電感的第一端與所述射頻放大電路的射頻信號輸出端連接，所述第一電感的第二端與所述第二電感的第一端連接；
所述第一電容的第一端連接至所述第二電感的第一端，所述第一電容的第二端接地；
所述第二電容的第一端連接至所述第二電感的第二端，所述第二電容的第二端接地；
所述第三電容的第一端連接至所述第二電感的第二端。
8.根據權利要求7所述的芯片，其特征在于，所述第三電容為MIM電容。
9.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一電感的第一端與所述射頻放大電路的射頻信號輸出端連接，所述第一電感的第二端與所述第二電容的第一端連接；
所述第一電容的第一端連接至所述第二電容的第一端，所述第一電容的第二端接地；
所述第二電感的第一端連接至所述第二電容的第二端，所述第二電感的第二端接地。
10.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述射頻放大IC電路包括第二基板和設置在所述第二基板上的多個射頻放大電路。
11.根據權利要求1-10任一項所述的芯片，其特征在于，所述芯片為射頻前端芯片。
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