[實用新型]光芯片表面清理臟污的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921298514.4 | 申請日: | 2019-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN210535630U | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 向欣 | 申請(專利權)人: | 武漢云嶺光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京匯澤知識產(chǎn)權代理有限公司 11228 | 代理人: | 吳靜 |
| 地址: | 436000 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 表面 清理 臟污 裝置 | ||
本實用新型涉及芯片清理技術領域,提供了一種光芯片表面清理臟污的裝置,包括供待清理的光芯片安置的入料區(qū)、用于對待清理的光芯片進行清理的工作區(qū)以及供清理完的光芯片安置的下料區(qū),所述工作區(qū)內(nèi)具有用于物理清理光芯片的清理機構。本實用新型的一種光芯片表面清理臟污的裝置,通過對芯片的物理性清理,避免了上述化學溶液存在的各種缺陷,在清理了光芯片的同時還防止了光芯片被損傷。
技術領域
本實用新型涉及芯片清理技術領域,具體為一種光芯片表面清理臟污的裝置。
背景技術
隨著光通信技術及5G繼續(xù)的發(fā)展需求增大,光芯片作為上述領域中的核心器件,其制作工序流程復雜,在制備過程中造成的表面臟污對芯片的成品率和可靠性至關重要。
目前大多數(shù)為晶圓級別的表面清理,即將未切割的整個晶圓片進行清洗。晶圓級別的表面清理常采用的方法為將晶圓置于清洗溶液中再放入超聲設備中進行清洗再用去離子水沖洗。在清洗過程中由于和外界溶液的接觸,若該溶液清洗不凈,就會將溶液殘留在芯片表面,從而造成二次污染。
光芯片為晶圓切割后產(chǎn)品,其尺寸小,常見的尺寸一般為150*250um, 200*250um或250*250um等,進而芯片表面臟污尺寸更小,其直徑可能只有 1um,因此芯片級別表面臟污的處理相對比較復雜。光芯片臟污來源主要為后期解理切割引入的解理殘渣或者空氣中顆粒懸浮物,上述臟污是無法避免的,且切割后的芯片全部放置在藍膜上,無法再將切割后的芯片置于溶液中進行清洗。
因此,在現(xiàn)有技術中一般采取調(diào)節(jié)解理設備,改變劃刀力度和深度,或者提高芯片車間空氣質(zhì)量等級的方式,以避免殘渣或灰塵對芯片的臟污。氮氣槍為芯片車間中常用的吹掃工具,但是氮氣槍也無法吹掉因靜電附著在芯片表面的臟污。有時因其風力太大有把芯片吹飛的風險存在。常規(guī)的把芯片置于化學溶液中清洗,芯片會接觸外界溶液,如果清洗不干凈,會造成溶液殘留在芯片表面,造成二次污染,且芯片在清洗過程中需要防止產(chǎn)生靜電損傷。此外,化學溶液清洗過程中無法監(jiān)控清洗質(zhì)量和過程?;瘜W清洗一般為人工手動操作,根據(jù)每個操作人員的手法與熟練度,效果會不一樣,從而不能保證芯片外觀的固定品質(zhì)。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種光芯片表面清理臟污的裝置,通過對芯片的物理性清理,避免了上述化學溶液存在的各種缺陷,在清理了光芯片的同時還防止了光芯片被損傷。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型實施例提供如下技術方案:一種光芯片表面清理臟污的裝置,包括供待清理的光芯片安置的入料區(qū)、用于對待清理的光芯片進行清理的工作區(qū)以及供清理完的光芯片安置的下料區(qū),所述工作區(qū)內(nèi)具有用于物理清理光芯片的清理機構。
進一步,所述工作區(qū)具有用于承載待清理的光芯片的工作區(qū)擴晶環(huán)載臺,所述清理機構包括一面具有粘性的白膜以及使所述白膜具有粘性的一面覆蓋于待清理的光芯片上的白膜驅動組件。
進一步,還包括用于加熱所述工作區(qū)擴晶環(huán)載臺的加熱件。
進一步,還包括用于按壓所述白膜的碾壓組件。
進一步,所述碾壓組件包括壓膜碾輪以及用于驅使所述壓膜碾輪碾壓待清理的光芯片上的白膜的壓膜碾輪驅動組件。
進一步,還包括觀察待清理的光芯片被清理的效果的觀察機構。
進一步,所述觀察機構包括CCD鏡頭。
進一步,還包括用于消除清理過程中的靜電的除靜電機構。
進一步,所述入料區(qū)和所述工作區(qū)之間具有用于將待清理的光芯片送至所述工作區(qū)中的上料機構。
進一步,所述工作區(qū)和所述下料區(qū)之間具有用于將清理后的光芯片送至所述下料區(qū)中的下料機構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





