[實用新型]一體式減薄裝置

有效

• 申請號: 201921295327.0
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN210443529U
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 李國強
• 申請（專利權）人: 河源市眾拓光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 陶潔雯

本實用新型公開了一種一體式減薄裝置，包括機體、旋轉托盤、存儲筒、和晶圓轉移組件，機體上設有磨削機構，旋轉托盤可轉動地設于機體上，旋轉托盤上設有至少兩個承片臺系統，存儲筒設于機體上，晶圓轉移組件包括電動滑軌、伸縮機構以及第一真空吸盤，電動滑軌設于機體上，伸縮機構的固定端設于電動滑軌的滑塊上，第一真空吸盤固設于伸縮機構的伸縮端，電動滑軌用于驅動伸縮機構移動于存儲筒和貼膜工位之間，且存儲筒和貼膜工位均位于電動滑軌的下方，以能夠供第一真空吸盤吸取待加工晶圓至位于貼膜工位且預先覆蓋有保護膜的承片臺系統上。該一體式減薄裝置集合覆膜與減薄功能，提高減薄效率，降低成本。

技術領域

本實用新型涉及減薄裝置技術領域，尤其涉及一種一體式減薄裝置。

背景技術

晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能的集成電路產品。在半導體產業制程中，通常在集成電路封裝前，需要對晶圓背面多余的基體材料去除一定的厚度，以能夠制作更復雜、更小型化的集成電路，這一工藝過程稱之為晶圓背面減薄工藝。

晶圓減薄工藝是必需工藝之一，以LED制程為例，需要對晶圓的背面減薄至一定厚度后進行劃片切割。減薄時為了防止晶圓正面被損傷，往往需要先在晶圓正面覆蓋一層保護膜，再將承載著保護膜的晶圓置于減薄機中對其背面進行減薄。

現有技術中的減薄機，例如申請號為CN201711430682.X所公開的一種減薄機以及申請號為CN201510988775.9所公開的一種回轉工作臺裝置及晶圓減薄機，均是覆膜與減薄兩道工序相互分離，多數情況覆膜過程由人工完成，耗時耗力，嚴重降低減薄工序效率。

實用新型內容

為了克服現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種一體式減薄裝置，集合覆膜與減薄功能，提高減薄效率，降低成本。

本實用新型的目的采用如下技術方案實現：

一體式減薄裝置，包括：

機體，機體上設有磨削機構和用于存儲待加工晶圓的存儲筒；

旋轉托盤，旋轉托盤可轉動地設于機體的底部；

至少兩個用于放置晶圓的承片臺系統，所述承片臺系統設于旋轉托盤上，所述承片臺系統由旋轉托盤驅動以切換每個承片臺系統的工位，所述旋轉托盤處于工作位置時，至少一個承片臺系統位于磨削工位，至少一個承片臺系統位于貼膜工位；

晶圓轉移組件，包括電動滑軌、伸縮機構以及第一真空吸盤，所述電動滑軌固設于所述機體上，所述伸縮機構與所述磨削機構平行，所述伸縮機構的固定端設于所述電動滑軌的滑塊上，所述第一真空吸盤固設于所述伸縮機構的伸縮端；

所述存儲筒和貼膜工位均位于電動滑軌的下方，所述磨削工位位于磨削機構的下方；

所述電動滑軌用于驅動所述伸縮機構在存儲筒和貼膜工位之間移動，以使第一真空吸盤將待加工晶圓從存儲筒吸至位于貼膜工位且預先覆蓋有保護膜的承片臺系統上；

當所述待加工晶圓位于貼膜工位時，所述伸縮機構能夠向下伸出，從而驅動第一真空吸盤將待加工晶圓與保護膜貼緊。

進一步地，所述保護膜的邊緣設有凸出的導磁金屬環，所述導磁金屬環用于支撐所述保護膜，所述承片臺系統包括支撐柱、用于吸附保護膜的第二真空吸盤和用于吸附導磁金屬環的電磁吸頭，所述支撐柱的底面與所述旋轉托盤連接，所述第二真空吸盤安裝于所述支撐柱的頂面的中部位置，所述電磁吸頭環繞所述第二真空吸盤布置且安裝于所述支撐柱的頂面的邊緣位置，且所述電磁吸頭低于所述第二真空吸盤，以使所述支撐柱的頂面為中部高而邊緣低的臺階面。

進一步地，所述第二真空吸盤的邊緣具有倒角。