[實(shí)用新型]一體式減薄裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921295327.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN210443529U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-05-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李國(guó)強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 河源市眾拓光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 陶潔雯 |
| 地址: | 517000 廣東省河*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 體式 裝置 | ||
1.一體式減薄裝置,其特征在于,包括:
機(jī)體,機(jī)體上設(shè)有磨削機(jī)構(gòu)和用于存儲(chǔ)待加工晶圓的存儲(chǔ)筒;
旋轉(zhuǎn)托盤,旋轉(zhuǎn)托盤可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)于機(jī)體的底部;
至少兩個(gè)用于放置晶圓的承片臺(tái)系統(tǒng),所述承片臺(tái)系統(tǒng)設(shè)于旋轉(zhuǎn)托盤上,所述承片臺(tái)系統(tǒng)由旋轉(zhuǎn)托盤驅(qū)動(dòng)以切換每個(gè)承片臺(tái)系統(tǒng)的工位,所述旋轉(zhuǎn)托盤處于工作位置時(shí),至少一個(gè)承片臺(tái)系統(tǒng)位于磨削工位,至少一個(gè)承片臺(tái)系統(tǒng)位于貼膜工位;
晶圓轉(zhuǎn)移組件,包括電動(dòng)滑軌、伸縮機(jī)構(gòu)以及第一真空吸盤,所述電動(dòng)滑軌固設(shè)于所述機(jī)體上,所述伸縮機(jī)構(gòu)與所述磨削機(jī)構(gòu)平行,所述伸縮機(jī)構(gòu)的固定端設(shè)于所述電動(dòng)滑軌的滑塊上,所述第一真空吸盤固設(shè)于所述伸縮機(jī)構(gòu)的伸縮端;
所述存儲(chǔ)筒和貼膜工位均位于電動(dòng)滑軌的下方,所述磨削工位位于磨削機(jī)構(gòu)的下方;
所述電動(dòng)滑軌用于驅(qū)動(dòng)所述伸縮機(jī)構(gòu)在存儲(chǔ)筒和貼膜工位之間移動(dòng),以使第一真空吸盤將待加工晶圓從存儲(chǔ)筒吸至位于貼膜工位且預(yù)先覆蓋有保護(hù)膜的承片臺(tái)系統(tǒng)上;
當(dāng)所述待加工晶圓位于貼膜工位時(shí),所述伸縮機(jī)構(gòu)能夠向下伸出,從而驅(qū)動(dòng)第一真空吸盤將待加工晶圓與保護(hù)膜貼緊。
2.如權(quán)利要求1所述的一體式減薄裝置,其特征在于,所述保護(hù)膜的邊緣設(shè)有導(dǎo)磁金屬環(huán),所述導(dǎo)磁金屬環(huán)用于支撐所述保護(hù)膜,所述承片臺(tái)系統(tǒng)包括支撐柱、用于吸附保護(hù)膜的第二真空吸盤和用于吸附導(dǎo)磁金屬環(huán)的電磁吸頭,所述支撐柱的底面與所述旋轉(zhuǎn)托盤連接,所述第二真空吸盤安裝于所述支撐柱的頂面的中部位置,所述電磁吸頭環(huán)繞所述第二真空吸盤布置且安裝于所述支撐柱的頂面的邊緣位置,且所述電磁吸頭低于所述第二真空吸盤,以使所述支撐柱的頂面為中部高而邊緣低的臺(tái)階面。
3.如權(quán)利要求2所述的一體式減薄裝置,其特征在于,所述第二真空吸盤的邊緣具有倒角。
4.如權(quán)利要求2所述的一體式減薄裝置,其特征在于,所述第一真空吸盤和第二真空吸盤包括吸盤和用于給吸盤提供吸附力的真空裝置,所述吸盤的材料均為橡膠。
5.如權(quán)利要求2所述的一體式減薄裝置,其特征在于,所述保護(hù)膜的與待加工晶圓貼合的一面涂覆有粘性膠。
6.如權(quán)利要求2所述的一體式減薄裝置,其特征在于,所述第一真空吸盤或第二真空吸盤上設(shè)有受控的壓力傳感器。
7.如權(quán)利要求1所述的一體式減薄裝置,其特征在于,所述伸縮機(jī)構(gòu)為液壓缸、液壓柱或氣缸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





