[實用新型]一種內引線MOSFET版圖結構及MOSFET芯片

有效

• 申請號: 201921289193.1
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN210272374U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 丁文華;習毓;陳騫;周新棋;智晶;田歡
• 申請（專利權）人: 西安衛光科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 高博

本實用新型公開了一種內引線MOSFET版圖結構及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上設置有結終端，結終端的內部設置有元胞區，元胞區內設置有柵Pad和源pad。本實用新型取消了元胞區和結終端區的過渡區域，元胞區周圍可以直接設計結終端區，從而有效縮小了芯片尺寸，適用于小電流的MOSFET芯片。

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，具體涉及一種內引線MOSFET版圖結構及MOSFET芯片。

背景技術

隨著6英寸分立器件芯片生產線在全國遍地開花，產品要在市場上取得競爭優勢，除了提高產品成品率和可靠性之外，必須進一步縮小芯片尺寸，適應電子裝置小型化要求，同時提高產品單片晶圓上的芯片顆粒數。對于小電流的MOSFET器件，由于版圖結構中有源區四周柵極引線占用的面積比較大，要將芯片尺寸做到最小，常規的結構已經無法滿足要求。本實用新型專利設計的結構，在不影響器件電學參數的情況下，可以有效減小芯片面積，提高產品單片晶圓上的芯片顆粒數。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題在于針對上述現有技術中的不足，提供一種內引線MOSFET版圖結構及MOSFET芯片，在不影響器件電學參數的情況下，可以有效減小芯片面積，增加硅片上單芯片的數目。

本實用新型采用以下技術方案：

一種內引線MOSFET版圖結構，包括MOSFET版，MOSFET版上設置有結終端，結終端的內部設置有元胞區，元胞區內設置有柵Pad和源pad。

具體的，柵Pad與柵極引線連接，柵極引線與柵Pad連接形成U型區域，在U型區域內設置有cell區。

進一步的，源pad設置在U型區域的開口處。

本實用新型的另一個技術方案是，一種MOSFET芯片，應用版圖結構，版圖結構沿X方向和Y方向尺寸分別縮小90～108μm。

具體的，MOSFET芯片包括溝槽式的MOSFET器件結構。

進一步的，MOSFET芯片為600V以下小電流的N溝道和P溝道MOSFET器件。

與現有技術相比，本實用新型至少具有以下有益效果：

⑴柵電極由外引線改為內引線，源極不需要再設計延伸電極，因此取消了版圖設計過程中有源區邊緣柵電極和源電極隔離區所占的面積，以及源極延伸電極所占的面積，縮小了器件最終的芯片尺寸；

⑵柵電極采用內引線結構，在規定的芯片尺寸下，節省的面積可以排布更多的元胞，從而有效降低器件最終的導通電阻。

綜上所述，本實用新型取消了元胞區和結終端區的過渡區域，元胞區周圍可以直接設計結終端區，從而有效縮小了芯片尺寸，適用于小電流的MOSFET芯片。

下面通過附圖和實施例，對本實用新型的技術方案做進一步的詳細描述。

附圖說明

圖1為本實用新型內引線結構示意圖；

圖2為外引線結構示意圖。

其中：1.結終端；2.柵極引線；3.柵Pad；4.cell區；5.元胞區；6.源pad；7.源極金屬；8.隔離層。

具體實施方式

請參閱圖1，本實用新型公開了一種內引線MOSFET版圖結構及MOSFET芯片，包括結終端1、柵極引線2、柵Pad3、cell區4、元胞區5和源pad6；元胞區5設置在結終端1的內部，柵Pad3和源pad6設置在元胞區5內，柵極引線2與柵Pad3連接形成U型區域，cell區4設置在U型區域內，源pad6設置在U型區域的開口處。