[實用新型]一種內引線MOSFET版圖結構及MOSFET芯片

有效

• 申請號: 201921289193.1
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN210272374U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 丁文華;習毓;陳騫;周新棋;智晶;田歡
• 申請（專利權）人: 西安衛光科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 高博

1.一種內引線MOSFET版圖結構，其特征在于，包括MOSFET版，MOSFET版上設置有結終端(1)，結終端(1)的內部設置有元胞區(5)，元胞區(5)內設置有柵Pad(3)和源pad(6)，柵Pad(3)與柵極引線(2)連接，柵極引線(2)與柵Pad(3)連接形成U型區域，在U型區域內設置有cell區(4)。

2.根據權利要求1所述的內引線MOSFET版圖結構，其特征在于，源pad(6)設置在U型區域的開口處。

3.一種MOSFET芯片，其特征在于，應用如權利要求1或2所述的版圖結構，版圖結構沿X方向和Y方向尺寸分別縮小90～108μm。

4.根據權利要求3所述的MOSFET芯片，其特征在于，MOSFET芯片包括溝槽式的MOSFET器件結構。

5.根據權利要求4所述的MOSFET芯片，其特征在于，MOSFET芯片為600V以下小電流的N溝道和P溝道MOSFET器件。