[實用新型]非接觸式上下芯片封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921189793.0
• 申請日: 2019-07-26
• 公開（公告）號: CN210245488U
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 程浪;楊建偉;易炳川
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東氣派科技有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 深圳市蘭鋒知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44419
• 代理人: 陳雙喜

本實用新型公開一種非接觸式上下芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：引線框、第一芯片、第二芯片和塑封體，引線框包括第一子框架和第二子框架，第一子框架和第二子框架相對的一側(cè)均設(shè)有第一引腳、第二引腳和第三引腳，所述第二引腳位于第一引腳的下方，所述第一芯片的下表面與第一子框架和第二子框架上的第一引腳分別電性連接，所述第二芯片的下表面通過絕緣膠層與第一子框架和第二子框架上的第二引腳分別固定連接，上表面通過焊線與第一子框架和第二子框架上的第三引腳分別電性連接，所述塑封體包封所述第一芯片、第二芯片、第一引腳、第二引腳和第三引腳，通過使小芯片埋于大芯片的底部，提高了引線框結(jié)構(gòu)空間的利用率，降低了封裝體積，提高了散熱效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種非接觸式上下芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

芯片封裝，是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)，不僅直到安放、固定、密封、保護芯片和增強導(dǎo)熱性能的作用，而且還是溝通芯片內(nèi)部世界與外部電路的橋梁。隨著智能產(chǎn)品和可穿戴設(shè)備向更小、更薄、更輕的方向發(fā)展，芯片的制造工藝也不斷從微米向納米級發(fā)展，但芯片制造的工藝尺寸越往下發(fā)展越困難。

如說明書附圖1所示，現(xiàn)有的多芯片封裝主要的方式是大芯片20疊載在引線框10的上表面，小芯片30疊載在大芯片20上表面，這樣的結(jié)構(gòu)小芯片30與大芯片20之間距離很近，大芯片20下表面到塑封體40的下表面的距離，以及小芯片30到塑封體40的上表面的距離均較大，不利用芯片之間的散熱，塑封成型后塑封體40厚度大，產(chǎn)品整體體積較大。

實用新型內(nèi)容

本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，提供一種非接觸式上下芯片封裝結(jié)構(gòu)，其能節(jié)省芯片的封裝空間，減少塑封體的厚度，提高芯片散熱效率。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用如下之技術(shù)方案：

一種非接觸式上下芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：

引線框，所述引線框包括第一子框架和第二子框架，所述第一子框架和第二子框架相對的一側(cè)均設(shè)有第一引腳、第二引腳和第三引腳，所述第一引腳和第二引腳上下錯開設(shè)置，并且所述第二引腳位于第一引腳的下方，所述第一子框架和第二子框架上的第一引腳之間形成有第一開口，所述第一子框架和第二子框架上的第二引腳之間形成有第二開口，所述第一開口的寬度大于第二開口的寬度；

第一芯片，所述第一芯片的下表面與第一子框架和第二子框架上的第一引腳分別電性連接，并且所述第一芯片的下表面一部分被第一開口暴露；

第二芯片，所述第二芯片的下表面通過絕緣膠層與第一子框架和第二子框架上的第二引腳分別固定連接，并且所述第二芯片的下表面一部分被第二開口暴露，所述第二芯片的上表面通過焊線與第一子框架和第二子框架上的第三引腳分別電性連接，所述第二芯片的上表面與第一芯片的下表面之間保持有間隙；

塑封體，所述塑封體包封所述第一芯片、第二芯片、第一引腳、第二引腳和第三引腳。

作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述第一引腳為與引線框主體的上表面平齊的平直引腳，所述第二引腳和第三引腳均為自引線框主體的上表面向下打凹形成的打凹引腳，并且所述第二引腳和第三引腳的上表面平齊。

作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述第一芯片的下表面設(shè)有向下凸伸的銅柱凸點，所述銅柱凸點的末端設(shè)有錫帽，所述第一芯片通過錫帽與第一子框架和第二子框架上的第一引腳分別焊接連接。

作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述第二芯片的上表面設(shè)有若干焊盤，所述焊盤通過焊線與第一子框架和第二子框架上的第三引腳分別焊接連接。

作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述第二引腳伸出于第一開口的下方。

作為本實用新型的一種優(yōu)選方案，所述第一芯片的上表面與塑封體的上表面的距離為90-110μm。