[實用新型]一種發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921177905.0
• 申請日: 2019-07-25
• 公開（公告）號: CN210245537U
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓權(quán)威;汪學(xué)鵬;隗彪;陳亭玉;李燁;郭師宇;晉沙沙;戴志祥;孫旭;張家豪
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/02;H01L33/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本實用新型屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種發(fā)光二極管，包括襯底100、層疊于襯底100之上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，以及分別與P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層電性連接的P電極和N電極，所述P電極和N電極位于襯底100的同一側(cè)，所述P電極包括焊接區(qū)和指狀結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底和發(fā)光層之間有與N電極連接的N擴展條。本實用新型通過在襯底和發(fā)光層之間設(shè)置與N電極連接的N擴展條，增大外延層發(fā)光面積，促進電流擴展，改善電流擁擠效益。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種具有位于外延層內(nèi)的N擴展條的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

目前正裝GaN基LED的常規(guī)工藝制程，為于藍寶石襯底100上利用MOCVD工藝生長外延層。由于藍寶石襯底100為絕緣材質(zhì)，須采用臺面結(jié)構(gòu)，在襯底100的同一側(cè)制備歐姆接觸的p型電極和n型電極。正裝LED結(jié)構(gòu)中，因臺面結(jié)構(gòu)的存在，由于橫向電阻的存在，使得靠近n型電極的臺面邊緣的電流密度大于靠近p型電極焊盤處，即存在電流擁擠效應(yīng)。尤其對于電流密度較大的芯片，電流擁擠效應(yīng)更明顯。電流的局部集中，勢必造成發(fā)光效率的降低，以及可靠性隱患。

發(fā)明內(nèi)容

為改善技術(shù)中電流擁擠效益，本實用新型提供了一種發(fā)光二極管，包括襯底、層疊于襯底之上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，以及分別與P型半導(dǎo)體層和N型半導(dǎo)體層電性連接的P電極和N電極，所述P電極和N電極位于襯底的同一側(cè)，所述P電極包括焊接區(qū)和指狀結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底和發(fā)光層之間有與N電極連接的N擴展條。

在其一實施例中，所述N擴展條設(shè)置于襯底和N型層之間，刻蝕P型半導(dǎo)體層至襯底表面形成孔洞，N電極置于孔洞內(nèi)，N擴展條與N電極連接。

在其二實施例中，所述N擴展條設(shè)置于N型層中間，刻蝕P型半導(dǎo)體層至N型層中間形成孔洞，N電極置于孔洞內(nèi)，N擴展條與N電極連接。

在其三實施例中，所述N擴展條設(shè)置于N型層和發(fā)光層之間，刻蝕P型半導(dǎo)體層至N型層表面形成孔洞，N電極置于孔洞內(nèi)，N擴展條與N電極連接。

其中，所述指狀結(jié)構(gòu)至少為1個以上，所述N擴展條至少為1個以上。

優(yōu)選的，所述指狀結(jié)構(gòu)至少為2個以上，所述N擴展條至少為2以上，所述N擴展條對應(yīng)于相鄰指狀結(jié)構(gòu)之間。

進一步地，所述N擴展條與相鄰指狀結(jié)構(gòu)的距離相等。

優(yōu)選的，所述N擴展條為金屬或金屬氧化物N擴展條。

優(yōu)選的，所述P電極和P型半導(dǎo)體層之間還包括透明導(dǎo)電層。

優(yōu)選的，所述襯底為平片襯底或者圖形化襯底。

本實用新型直接在外延生長之前或者外延生長中，于襯底和N型半導(dǎo)體層之間、或者N型半導(dǎo)體層內(nèi)部、或者N型半導(dǎo)體層和發(fā)光層之間制作N擴展條，從而一方面節(jié)省了刻蝕形成溝槽的工藝步驟，簡化工藝流程，另一方面減小了外延層的損失，增大了發(fā)光面積，提高了光效，同時促進了電流擴展，改善了電流擁擠效益。

附圖說明

圖1為本實用新型之實施例1之發(fā)光二極管俯視圖。

圖2為圖1中線A-A之發(fā)光二極管截面圖。

圖3為圖1中線B-B之發(fā)光二極管截面圖。

圖4為傳統(tǒng)發(fā)光二極管俯視圖。

圖5為圖4中線C-C之發(fā)光二極管截面圖。

圖6為本實用新型之實施例2之發(fā)光二極管截面圖。

圖7為本實用新型之實施例3之發(fā)光二極管截面圖。

具體實施方式