[實用新型]一種發光二極管

有效

• 申請號: 201921177905.0
• 申請日: 2019-07-25
• 公開（公告）號: CN210245537U
• 公開（公告）日: 2020-04-03
• 發明（設計）人: 韓權威;汪學鵬;隗彪;陳亭玉;李燁;郭師宇;晉沙沙;戴志祥;孫旭;張家豪
• 申請（專利權）人: 安徽三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;H01L33/02;H01L33/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，包括襯底、層疊于襯底之上的N型半導體層、發光層和P型半導體層，以及分別與P型半導體層和N型半導體層電性連接的P電極和N電極，所述P電極和N電極位于襯底的同一側，所述P電極包括焊接區和指狀結構，其特征在于：所述襯底和發光層之間有與N電極連接的N擴展條。

2.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：所述N擴展條為金屬或金屬氧化物N擴展條。

3.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：所述N擴展條設置于襯底和N型層之間，刻蝕P型半導體層至襯底表面形成孔洞，N電極置于孔洞內，N擴展條與N電極連接。

4.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：所述N擴展條設置于N型層中間，刻蝕P型半導體層至N型層中間形成孔洞，N電極置于孔洞內，N擴展條與N電極連接。

5.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：所述N擴展條設置于N型層和發光層之間，刻蝕P型半導體層至N型層表面形成孔洞，N電極置于孔洞內，N擴展條與N電極連接。

6.根據權利要求1~5所述的任意一種發光二極管，其特征在于：所述指狀結構至少為1個以上，所述N擴展條至少為1個以上。

7.根據權利要求6所述的一種發光二極管，其特征在于：所述指狀結構至少為2個以上，所述N擴展條至少為2個以上，所述N擴展條對應于相鄰指狀結構之間。

8.根據權利要求7所述的一種發光二極管，其特征在于：所述N擴展條與相鄰指狀結構的距離相等。

9.根據權利要求1~5所述的任意一種發光二極管，其特征在于：所述P電極和P型半導體層之間還包括透明導電層。

10.根據權利要求1所述的一種發光二極管，其特征在于：所述襯底為平片襯底或者圖形化襯底。