[實用新型]存儲器

有效

• 申請號: 201921153393.4
• 申請日: 2019-07-22
• 公開（公告）號: CN210110766U
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發明（設計）人: 王建芳;郭鵬;李寶玉;王遠保
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

本實用新型提供了一種存儲器。通過將節點接觸部進一步延伸至襯底中，以和有源區電性連接，從而增加了節點接觸部和有源區之間的接觸面積，并使得節點接觸部可以和高離子濃度的區域實現電性連接，基于此，即使在節點接觸部中形成有空隙，仍能夠維持節點接觸部的連接性能。而針對允許有空隙的節點接觸部而言，其制作難度更大、制備過程更快，相應的可以有效提升存儲器的產能。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種存儲器。

背景技術

存儲器，例如動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常包括存儲電容器以及電性連接所述存儲電容器的存儲晶體管，所述存儲電容器用于存儲代表存儲信息的電荷，以及所述存儲晶體管可通過一節點接觸部電性連接所述存儲電容器。

基于現有的存儲器而言，目前仍存在制作難度大、制備工藝較為繁瑣的問題。舉例而言，在制備節點接觸部時，為確保節點接觸部能夠與存儲晶體管之間具有良好的電性連接，則對節點接觸部的制備工藝的要求也較高，例如所采用的沉積工藝需具備較好的填充性能。此時，則必然會導致節點接觸部的制作要求嚴格、制備過程較慢，不僅會影響存儲器的生產效率，并且還會使得半導體加工設備的利用率較低。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種存儲器，以降低存儲器制作難度，加快存儲器的制備過程，以利于提升產能。

為解決上述技術問題，本實用新型提供一種存儲器，包括：

襯底，所述襯底中形成有多個有源區；

多條位線結構，形成在所述襯底上，并利用相鄰的位線結構界定出節點接觸窗，及所述節點接觸窗的底部還延伸至所述襯底中，并暴露有至少部分有源區；以及，

多個節點接觸部，填充在所述節點接觸窗中并和所述有源區電性連接，以及所述節點接觸部中形成有至少一個空隙，并且所述空隙的頂部不低于鄰近的任一位線結構的底部。

本實用新型提供的存儲器中，使節點接觸部能夠嵌入至襯底中，以和有源區電性連接，一方面可以增加節點接觸部和有源區的接觸面積；另一方面，還可以使節點接觸部能夠和有源區中離子濃度較高的區域接觸，如此，即有利于改善節點接觸部和有源區之間的接觸電阻。基于此，本實用新型提供的存儲器中，即能夠允許節點接觸部中形成有空隙，從而在制備節點接觸部時，可以采用快速沉積的方式以更快的制備所述節點接觸部，進而能夠加快存儲器的制備過程，有效提升產能，并提高半導體加工設備的利用率。即，本實用新型提供的存儲器，即使在節點接觸部中形成有空隙，然而針對嵌入至襯底中的節點接觸部而言，可以有效補償節點接觸部與有源區之間的電性連接性能，保障節點接觸部其電性導通的品質，基于此，則可以進一步提升存儲器的生產產能。

進一步的，可以利用位線結構界定出節點接觸窗，并且節點接觸窗的底部還延伸至襯底中，以使得節點接觸窗的底部相對于襯底的頂表面更為下沉，此時由于節點接觸部中的空隙的頂部不低于鄰近的任一位線結構的底部(例如，使得節點接觸部中的空隙具有高出于襯底頂表面的部分)，相應的避免了空隙靠近有源區，確保了節點接觸部與有源區之間的連接性能。

更進一步的，所述節點接觸窗延伸至襯底中的部分例如包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽對應在溝槽隔離結構中，所述第二凹槽對應在有源區中，通過使第二凹槽的深度位置更低于第一凹槽的深度位置，從而可以進一步增加有源區暴露于節點接觸窗中的面積，進而可以再次增加節點接觸部與有源區之間的接觸面積。

附圖說明

圖1為本實用新型一實施例中的存儲器的俯視圖；

圖2為本實用新型一實施例中的存儲器沿著aa’方向省略了節點接觸部的剖面示意圖；

圖3為本實用新型一實施例中的存儲器沿著aa’方向的剖面示意圖；