[實(shí)用新型]存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921153393.4
• 申請(qǐng)日: 2019-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN210110766U
• 公開（公告）日: 2020-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王建芳;郭鵬;李寶玉;王遠(yuǎn)保
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有多個(gè)有源區(qū)；

多條位線結(jié)構(gòu)，形成在所述襯底上，并利用相鄰的位線結(jié)構(gòu)界定出節(jié)點(diǎn)接觸窗，所述節(jié)點(diǎn)接觸窗的底部還延伸至所述襯底中，并暴露有至少部分有源區(qū)；以及，

多個(gè)節(jié)點(diǎn)接觸部，填充在所述節(jié)點(diǎn)接觸窗中并和所述有源區(qū)電性連接，以及所述節(jié)點(diǎn)接觸部中形成有至少一個(gè)空隙，并且所述空隙的頂部不低于鄰近的任一位線結(jié)構(gòu)的底部。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述至少一個(gè)空隙包括第一空隙，所述第一空隙的至少頂部介于相鄰的位線結(jié)構(gòu)相互正對(duì)的區(qū)域中，并且所述第一空隙在相鄰的兩個(gè)位線結(jié)構(gòu)之間相對(duì)于其中一個(gè)位線結(jié)構(gòu)更偏向于另一個(gè)位線結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)包括依次形成在所述襯底上的第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，以及所述第一空隙的頂部介于相鄰的位線結(jié)構(gòu)中兩個(gè)第一導(dǎo)電層相互正對(duì)的區(qū)域中。

4.如權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)底部的外側(cè)壁上形成有凹陷，所述凹陷的開口橫向暴露于相鄰的位線結(jié)構(gòu)之間的間隙中，以及所述節(jié)點(diǎn)接觸部形成在相鄰的位線結(jié)構(gòu)之間，并填充所述凹陷。

5.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述節(jié)點(diǎn)接觸窗中延伸至襯底中的部分包括形成在所述襯底中的凹槽，以及所述位線結(jié)構(gòu)中的所述凹陷的底部邊界承接所述的凹槽的邊界，以界定出位線接觸窗的第一開口部。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一空隙形成在所述第一開口部中，并且所述第一空隙的頂部介于相鄰位線結(jié)構(gòu)中兩個(gè)凹陷相互正對(duì)的區(qū)域中。

7.如權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述襯底中還形成有溝槽隔離結(jié)構(gòu)，并利用所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)分隔相鄰的所述有源區(qū)，并且所述節(jié)點(diǎn)接觸窗中還暴露有至少部分所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)；

其中，所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽對(duì)應(yīng)在所述溝槽隔離結(jié)構(gòu)中，所述第二凹槽對(duì)應(yīng)在所述有源區(qū)中，并且所述第二凹槽的深度位置低于所述第一凹槽的深度位置。

8.如權(quán)利要求4所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)包括位元線和隔離側(cè)墻，所述位元線形成在襯底上并與相應(yīng)的有源區(qū)電性連接，所述隔離側(cè)墻至少覆蓋所述位元線的側(cè)壁；

以及，所述位線結(jié)構(gòu)中的凹陷從所述隔離側(cè)墻的外側(cè)壁以朝向位元線的方向橫向延伸，并延伸停止于所述隔離側(cè)墻中。

9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述至少一個(gè)空隙包括第二空隙，所述第二空隙的頂部和底部均介于相鄰的位線結(jié)構(gòu)相互正對(duì)的區(qū)域中，并且所述第二空隙位于相鄰的位線結(jié)構(gòu)之間的中間位置。

10.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)包括依次形成在所述襯底上的第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層和第三導(dǎo)電層，以及所述第二空隙位于相鄰位線結(jié)構(gòu)中的兩個(gè)第三導(dǎo)電層相互正對(duì)的區(qū)域中。

11.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述至少一個(gè)空隙還包括第一空隙，所述第一空隙的至少頂部介于相鄰的位線結(jié)構(gòu)相互正對(duì)的區(qū)域中，以及所述第一空隙位于所述第二空隙的下方，并且所述第一空隙的最大寬度尺寸大于2倍的第二空隙的最大寬度尺寸。

12.如權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，利用相鄰的位線結(jié)構(gòu)中高出于襯底頂表面的一部分界定出位線接觸窗的第二開口部，所述第二空隙形成在所述第二開口部中。

13.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線結(jié)構(gòu)沿著預(yù)定方向延伸并與相應(yīng)的有源區(qū)相交，所述位線結(jié)構(gòu)中與所述有源區(qū)相交的部分構(gòu)成位線接觸部，所述位線接觸部嵌入至所述襯底中以和所述有源區(qū)電性連接，以及所述位線接觸部延伸在襯底中的深度位置低于所述節(jié)點(diǎn)接觸部延伸在襯底中的深度位置。