[實用新型]一種封裝結構

有效

• 申請號: 201921152486.5
• 申請日: 2019-07-22
• 公開（公告）號: CN210467767U
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發明（設計）人: 尹佳山;周祖源;吳政達;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種封裝結構，包括：支撐基底；第一封裝層，形成于所述支撐基底上；圖形化的化學鍍種子層，形成于所述第一封裝層的表面；圖形化的金屬層，形成于所述化學鍍種子層的表面；第二封裝層，形成于所述第一封裝層、所述化學鍍種子層和所述金屬層上，且所述第二封裝層包覆所述化學鍍種子層和所述金屬層。本實用新型的封裝結構能夠提高封裝層的牢固性，提高金屬層與第一封裝層之間的結合力，從而防止第二封裝層在后續工序中的脫落現象。

技術領域

本實用新型屬于半導體封裝領域，特別是涉及一種封裝結構。

背景技術

晶圓片級芯片規模封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging，簡稱WLCSP)，即晶圓級芯片封裝方式，不同于傳統的芯片封裝方式(先切割再封測，而封裝后至少增加原芯片20％的體積)，此種最新技術是先在整片晶圓上進行封裝和測試，然后才切割成一個個的IC顆粒，因此封裝后的體積即等同IC裸晶的原尺寸。晶圓級芯片封裝往往需要多層封裝層及金屬層，傳統的工藝中，金屬層和封裝層之間的結合力不強，導致封裝層之間出現脫落分離現象，嚴重影響了產品的良品率。

基于以上所述，本實用新型的目的是給出一種封裝結構，以解決現有技術的封裝層脫落問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種封裝結構，用于解決現有技術中封裝層脫落問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種封裝結構，包括：

支撐基底；

第一封裝層，形成于所述支撐基底上；

圖形化的化學鍍種子層，形成于所述第一封裝層的表面；

圖形化的金屬層，形成于所述化學鍍種子層的表面；

第二封裝層，形成于所述第一封裝層、所述化學鍍種子層和所述金屬層上，且所述第二封裝層包覆所述化學鍍種子層和所述金屬層。

可選地，所述金屬層的厚度介于3μm～15μm之間。

可選地，所述化學鍍種子層的厚度介于180nm～220nm之間。

可選地，所述支撐基底的厚度介于800μm～1200μm之間。

如上所述，本實用新型提供一種封裝結構，本實用新型具有以下功效：

本實用新型的封裝結構于所述第一封裝層的上表面形成化學鍍種子層，具有提高封裝層的牢固性，提高金屬層與第一封裝層之間的結合力，從而防止第二封裝層在后續工序中的脫落現象。

于所述化學鍍種子層的上表面形成圖形化的掩膜層，所述掩膜層具有第二窗口，以顯露所述化學鍍種子層，于所述第二窗口內形成所述金屬層，去掉所述掩膜層，采用化學刻蝕工藝去掉裸露部分的所述化學鍍種子層，在整個圖形化金屬層的形成過程中沒有用到干法刻蝕，只采用了濕法刻蝕，提高了生產效率，降低了生產成本。

所述金屬層與所述第一封裝層之間具有所述化學鍍種子層，提高封裝層的牢固性，提高金屬層與第一封裝層之間的結合力，從而防止第二封裝層在后續工序中的脫落現象。而且所述化學鍍種子層與所述第一封裝層之間直接接觸不夾帶其他物質，提高了所述化學鍍種子層與所述第一封裝層之間的結合力。

附圖說明

圖1顯示為本實用新型的封裝方法步驟1)所呈現的結構示意圖。

圖2顯示為本實用新型的封裝方法步驟2)所呈現的結構示意圖。

圖3顯示為本實用新型的封裝方法步驟3)所呈現的結構示意圖。

圖4顯示為本實用新型的封裝方法步驟4)所呈現的結構示意圖。