[實用新型]一種封裝結構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921152486.5 | 申請日： | 2019-07-22 |
| 公開（公告）號： | CN210467767U | 公開（公告）日： | 2020-05-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 尹佳山;周祖源;吳政達;林正忠 | 申請（專利權）人： | 中芯長電半導體（江陰）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/56 | 分類號： | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 214437 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種封裝結構，其特征在于，包括：
支撐基底；
第一封裝層，形成于所述支撐基底上；
圖形化的化學鍍種子層，形成于所述第一封裝層的表面；
圖形化的金屬層，形成于所述化學鍍種子層的表面；
第二封裝層，形成于所述第一封裝層、所述化學鍍種子層和所述金屬層上，且所述第二封裝層包覆所述化學鍍種子層和所述金屬層。
2.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述金屬層的厚度介于3μm～15μm之間。
3.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述化學鍍種子層的厚度介于180nm～220nm之間。
4.根據權利要求1所述的封裝結構，其特征在于：所述支撐基底的厚度介于800μm～1200μm之間。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
