[實用新型]一種高基頻石英MASE晶片檢測裝置有效
| 申請號: | 201921143423.3 | 申請日: | 2019-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN210376552U | 公開(公告)日: | 2020-04-21 |
| 發明(設計)人: | 喻信東;鐘院華;方豹;楊飛 | 申請(專利權)人: | 湖北泰晶電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/00 | 分類號: | G01R31/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 441300 *** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基頻 石英 mase 晶片 檢測 裝置 | ||
一種高基頻石英MASE晶片檢測裝置,包括底座,所述底座上設置有晶片支撐臺,所述晶片支撐臺通過水平調節器固定在支撐臺基座上,所述晶片支撐臺的下方設置有測試下探針和下探針上下調節器,其特征在于:所述晶片支撐臺兩側的底座上分別安裝有左支架和右支架,所述右支架上安裝有光學放大鏡,所述左支架上安裝有高精度螺旋調節器,所述高精度螺旋調節器的底部安裝有測試上探針,所述測試上探針位于晶片支撐臺的正上方。本實用新型結構簡單、操作方便、檢測效率高、晶片破損率低。
技術領域
本實用新型涉及晶片檢測領域,具體涉及一種高基頻石英MASE晶片檢測裝置。
背景技術
在消費電子、汽車電子、物聯網等行發展過程中,晶振作為電子產品基礎性核心元器件,向超小型化、超高頻、低抖動、低相位噪聲方向發展,基于半導體工藝小尺寸高基頻MASE晶片,有外形尺寸小2mm以下,雙面采用腐蝕加工成凹型結構,凹型區為壓電效應振蕩區,厚度越薄振蕩的頻率越高,50MHz以上產品,壓電效應振蕩區厚度在30微米以下,100MHz以上產品壓電效應振蕩區厚度小于16微米。傳統的機械加工工藝難以滿足工藝要求,采用半導體光刻微納米加工工藝,可以實現晶片尺寸的小型化,超高頻,但小尺寸的晶片質量小、難取放、易破損等特點,使得小尺寸晶片的電氣特性檢測難度很大,實用傳統的檢測儀器檢測效果差,且極易對晶片造成損傷。
發明內容
本實用新型的目的是克服現技術的缺陷和不足,提供一種結構簡單、操作方便、檢測效率高、晶片破損率低的高基頻石英MASE晶片檢測裝置。
為實現以上目的,本實用新型的技術解決方案是:一種高基頻石英MASE晶片檢測裝置,包括底座,所述底座上設置有晶片支撐臺,所述晶片支撐臺通過水平調節器固定在支撐臺基座上,所述晶片支撐臺的下方設置有測試下探針和下探針上下調節器,其特征在于:所述晶片支撐臺兩側的底座上分別安裝有左支架和右支架,所述右支架上安裝有光學放大鏡,所述左支架上安裝有高精度螺旋調節器,所述高精度螺旋調節器的底部安裝有測試上探針,所述測試上探針位于晶片支撐臺的正上方。
所述高精度螺旋調節器包括位于調節器頂部的粗調旋鈕和細調旋鈕,所述細調旋鈕位于粗調旋鈕上方并套接在粗調旋鈕內,所述粗調旋鈕底部與調節器伸出頂桿固定連接,所述調節器伸出頂桿的底部與鏈接臂固定連接,所述鏈接臂的內部安裝有彈簧導柱,所述測試上探針固定連接在彈簧導柱的底部。
所述左支架上固定有調節支撐導柱,所述調節支撐導柱與調節器伸出頂桿上方的套筒固定連接,調節支撐導柱上設置有上下滑軌,所述鏈接臂與上下滑軌滑動連接。
本實用新型與現有技術相比,具有以下優勢:
1、本實用新型通過高精度螺旋調節器上的粗調旋鈕和細調旋鈕來精準控制測試上探針的精準位移,整個操作過程在光學放大鏡下進行,這樣做既能滿足探針與晶片的可靠性電接觸,保證測試穩定性,又能有效避免操作過程中調整過大,較少造成晶片破損的誤操作發生。
2、本實用新型中的調節支撐導柱和其上的上下滑軌既是對高精度螺旋調節器的有力支撐,同時又提高了調節器的運行穩定度,使得裝置的檢測效率更高。
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖。
圖2是本實用新型的檢測狀態示意圖。
圖中:底座1,晶片支撐臺2,水平調節器3,支撐臺基座4,測試下探針5,下探針上下調節器6,左支架7,右支架8,光學放大鏡9,高精度螺旋調節器10,測試上探針11,粗調旋鈕12,細調旋鈕13,調節器伸出頂桿14,鏈接臂15,彈簧導柱16,調節支撐導柱17,上下滑軌18,檢測儀器19。
具體實施方式
以下結合附圖說明和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細的說明。
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