[實用新型]用于處理基板的工藝腔室和靜電吸盤

有效

• 申請號: 201921109915.0
• 申請日: 2019-07-15
• 公開（公告）號: CN210296330U
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: J·西蒙斯;D·洛弗爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

本公開內容整體涉及一種用于處理基板的工藝腔室和靜電吸盤。所述靜電吸盤包括：設施板；以及絕緣體，所述絕緣體設置在冷卻基部與接地板之間。支撐主體耦接到所述冷卻基部以用于在所述支撐主體上支撐基板。環被配置為環繞所述絕緣體。所述環由耐受因暴露于制造工藝中造成的降解的材料形成。所述環任選地包括延伸部，所述延伸部被配置為環繞所述設施板。

技術領域

本公開內容的實施方式整體涉及用于處理基板的工藝腔室和靜電吸盤。

背景技術

在集成電路的制造中，使用諸如化學氣相沉積(CVD)或原子層沉積(ALD)之類的沉積工藝在半導體基板上沉積各種材料的膜。在其它操作中，使用諸如蝕刻之類的層更改工藝來暴露沉積層的一部分以進行進一步沉積。通常，這些沉積或蝕刻工藝以重復的方式用來制造電子器件(諸如半導體器件)的各種層。

隨著技術進步，正在利用新的化學品和工藝來制造日益復雜的電路和半導體器件。這些化學品和工藝可能損壞在工藝腔室中使用的常規部件。

因此，需要可與新的制造工藝一起使用的用于器件制造的腔室處理部件。

實用新型內容

本公開內容整體涉及一種用于處理基板的工藝腔室和靜電吸盤。

在一個實施方式中，一種工藝腔室具有主體，所述主體具有側壁和底部。蓋耦接到所述主體以限定在所述主體中的工藝容積。靜電吸盤設置在所述工藝容積中。所述靜電吸盤具有接地板、絕緣體、設施板、冷卻基部和支撐主體。所述支撐主體中設置有電極。陶瓷環環繞所述絕緣體設置。

在另一個實施方式中，一種靜電吸盤具有接地板、絕緣體、設施板、冷卻基部和支撐主體。電極設置在所述支撐主體內。所述靜電吸盤還具有環，所述環環繞所述絕緣體設置。所述環由陶瓷材料形成。

在又一個實施方式中，一種靜電吸盤具有接地板、絕緣體、設施板、冷卻基部和支撐主體。電極設置在所述支撐主體內。所述靜電吸盤還包括環，所述環具有環形部分和從所述環形部分延伸的延伸部。所述環形部分環繞所述絕緣體，并且所述延伸部環繞所述設施板。

附圖說明

為了能夠詳細地理解本公開內容的上述特征的方式，可以通過參考實施方式獲得上面簡要地概述的本公開內容的更具體的描述，其中一些實施方式在附圖中示出。然而，應當注意，附圖僅示出了示例性實施方式，并且因此不應視為限制實施方式的范圍，因為本公開內容可以允許其它同等有效的實施方式。

圖1是示例性處理腔室的橫截面的示意性布置。

圖2是根據一個實施方式的靜電吸盤的橫截面的示意性布置。

圖3是根據另一個實施方式的靜電吸盤的橫截面的示意性布置。

為了便于理解，已經盡可能地使用相同的附圖標記來表示各圖共有的相同元件。預期的是，一個實施方式的元件和特征可以有益地并入其它實施方式中而無需進一步敘述。

具體實施方式

本公開內容整體涉及一種用于處理基板的靜電吸盤。所述靜電吸盤包括：設施板；以及絕緣體，所述絕緣體設置在冷卻基部與接地板之間。支撐主體耦接到所述冷卻基部以用于在所述支撐主體上支撐基板。環被配置為環繞所述絕緣體。所述環由耐受因暴露于制造工藝中造成的降解的材料形成。所述環任選地包括延伸部，所述延伸部被配置為環繞所述設施板。

圖1是根據一個實施方式的示例性處理腔室100的局部橫截面的示意性布置。處理腔室100包括具有側壁104和底部106的主體102。蓋108耦接到主體102以限定在主體102中的工藝容積110。主體102一般由金屬(諸如鋁或不銹鋼)形成，但是可以利用適合與在處理腔室100中執行的工藝一起使用的任何材料。