[實用新型]用于處理基板的工藝腔室和靜電吸盤

有效

• 申請號: 201921109915.0
• 申請日: 2019-07-15
• 公開（公告）號: CN210296330U
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: J·西蒙斯;D·洛弗爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種用于處理基板的工藝腔室，包括：

主體，所述主體具有側壁和底部；

蓋，所述蓋耦接到所述主體以限定在所述主體中的工藝容積；以及

靜電吸盤，所述靜電吸盤設置在所述工藝容積中，所述靜電吸盤包括：

接地板；

絕緣體，所述絕緣體設置在所述接地板上；

設施板，所述設施板設置在所述絕緣體上；

冷卻基部，所述冷卻基部設置在所述設施板上；

支撐主體，所述支撐主體設置在所述冷卻基部上，所述支撐主體中具有電極；以及

環，所述環環繞所述絕緣體設置，其中所述環由陶瓷材料形成。

2.如權利要求1所述的工藝腔室，其中所述環具有內表面，所述內表面限定穿過所述環的開口，其中所述絕緣體設置在所述開口中。

3.如權利要求1所述的工藝腔室，其中所述環包括環形部分和延伸部。

4.如權利要求3所述的工藝腔室，其中所述絕緣體被所述環形部分環繞，并且所述設施板被所述延伸部環繞。

5.如權利要求1所述的工藝腔室，其中所述絕緣體由聚合物材料形成。

6.如權利要求1所述的工藝腔室，其中所述環由氧化鋁或氧化釔形成。

7.一種用于處理基板的靜電吸盤，包括：

接地板；

絕緣體，所述絕緣體設置在所述接地板上；

設施板，所述設施板設置在所述絕緣體上；

冷卻基部，所述冷卻基部設置在所述設施板上；

支撐主體，所述支撐主體設置在所述冷卻基部上，所述支撐主體中具有電極；以及

環，所述環環繞所述絕緣體設置，其中所述環由陶瓷材料形成。

8.如權利要求7所述的靜電吸盤，進一步包括：

第一密封件，所述第一密封件設置在所述環與所述設施板之間；以及

第二密封件，所述第二密封件設置在所述環與所述接地板之間。

9.如權利要求8所述的靜電吸盤，其中所述第一密封件、所述第二密封件和所述環隔離設置在所述環內的所述絕緣體。

10.如權利要求7所述的靜電吸盤，其中所述環具有徑向向內的表面，所述徑向向內的表面限定穿過所述環的開口，并且其中所述絕緣體設置在所述開口內。

11.如權利要求7所述的靜電吸盤，其中所述絕緣體由聚合物材料形成。

12.如權利要求7所述的靜電吸盤，其中所述環由氧化鋁或氧化釔形成。

13.一種用于處理基板的靜電吸盤，包括：

接地板；

絕緣體，所述絕緣體設置在所述接地板上；

設施板，所述設施板設置在所述絕緣體上；

冷卻基部，所述冷卻基部設置在所述設施板上；

支撐主體，所述支撐主體設置在所述冷卻基部上，所述支撐主體中具有電極；以及

環，所述環包括：

環形部分，所述環形部分環繞所述絕緣體；以及

延伸部，所述延伸部從所述環形部分延伸，其中所述延伸部環繞所述設施板。

14.如權利要求13所述的靜電吸盤，進一步包括：

第一密封件，所述第一密封件設置在所述環與所述冷卻基部之間；以及

第二密封件，所述第二密封件設置在所述環與所述接地板之間。

15.如權利要求14所述的靜電吸盤，其中所述第一密封件、所述第二密封件和所述環將設置在所述環內的所述絕緣體和所述設施板隔離。