[實(shí)用新型]一種真空反應(yīng)室內(nèi)溫度偵測(cè)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921105573.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-15 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210535628U | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王浩明;陳永萍;張廣德 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州子山半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;G05B19/042 |
| 代理公司: | 蘇州國卓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32331 | 代理人: | 薛芳芳 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 真空 反應(yīng) 室內(nèi) 溫度 偵測(cè) 系統(tǒng) | ||
1.一種真空反應(yīng)室內(nèi)溫度偵測(cè)系統(tǒng),包括傳送室壓力模塊(1)、Back反應(yīng)室溫控器信號(hào)(2)、外部邏輯控制器模塊(3)、繼電器模塊(4)、Eurotherm溫控器報(bào)警模塊(5)、輸出開關(guān)(6)、瓦特龍溫控器報(bào)警模塊(7)和Side反應(yīng)室溫控器信號(hào)(8),其特征在于:所述傳送室壓力模塊(1)的輸出端為外部邏輯控制器模塊(3),所述傳送室壓力模塊(1)內(nèi)部有eurotherm的信號(hào)和watlow信號(hào)構(gòu)成,所述Back反應(yīng)室溫控器信號(hào)(2)的輸出端為外部邏輯控制器模塊(3),所述Side反應(yīng)室溫控器信號(hào)(8)的輸出端為外部邏輯控制器模塊(3),所述傳送室壓力模塊(1)、Back反應(yīng)室溫控器信號(hào)(2)和Side反應(yīng)室溫控器信號(hào)(8)的輸出端均接入至外部邏輯控制器模塊(3)中,所述外部邏輯控制器模塊(3)的輸出端為繼電器模塊(4),所述繼電器模塊(4)的輸出端為輸出開關(guān)(6),所述輸出開關(guān)(6)共設(shè)置有兩個(gè)輸出端,所述輸出開關(guān)(6)的一個(gè)輸出端為Eurotherm溫控器報(bào)警模塊(5),所述輸出開關(guān)(6)的另一個(gè)輸出端為瓦特龍溫控器報(bào)警模塊(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空反應(yīng)室內(nèi)溫度偵測(cè)系統(tǒng),其特征在于:所述傳送室壓力模塊(1)、Back反應(yīng)室溫控器信號(hào)(2)和Side反應(yīng)室溫控器信號(hào)(8)均通過各自連接的線材進(jìn)行信號(hào)輸入。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空反應(yīng)室內(nèi)溫度偵測(cè)系統(tǒng),其特征在于:所述Eurotherm溫控器報(bào)警模塊(5)的輸出信號(hào)可插接至機(jī)臺(tái)中安全連鎖裝置中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空反應(yīng)室內(nèi)溫度偵測(cè)系統(tǒng),其特征在于:所述瓦特龍溫控器報(bào)警模塊(7)對(duì)應(yīng)的溫度監(jiān)測(cè)范圍為零至三百攝氏度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空反應(yīng)室內(nèi)溫度偵測(cè)系統(tǒng),其特征在于:所述Eurotherm溫控器報(bào)警模塊(5)對(duì)應(yīng)的溫度監(jiān)測(cè)范圍為大于二百七十五攝氏度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種真空反應(yīng)室內(nèi)溫度偵測(cè)系統(tǒng),其特征在于:所述外部邏輯控制器模塊(3)、繼電器模塊(4)和輸出開關(guān)(6)均集成外界控制內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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