[實用新型]一種硅晶圓結構

有效

• 申請號: 201921088046.8
• 申請日: 2019-07-11
• 公開（公告）號: CN209929311U
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 徐建衛;徐艷;汪鵬
• 申請（專利權）人: 上海矽安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/306;H01L21/308;B81C1/00
• 代理公司: 31243 上海百一領御專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 王奎宇;楊孟娟

本申請公開了一種硅晶圓結構，硅晶圓結構包括：硅晶圓主體，在硅晶圓主體上設有第一槽和第二槽，硅晶圓主體還形成有第一尖角或第二尖角，其中，第一尖角或第二尖角設置在第一槽和第二槽的連接處。本申請中硅晶圓主體的背面用抗腐蝕的薄膜保護，使正面腐蝕時可以停止在薄膜上，夾角處被保護，可以有效地避免尖角被腐蝕液迅速腐蝕。

技術領域

本申請屬于微加工制造技術領域，具體涉及一種硅晶圓結構。

背景技術

CMOS-MEMS工藝制造的微型傳感器能夠利用標準CMOS工藝實現傳感器的低成本、批量生產，這是MEMS傳感器相對于傳統傳感器的優勢之一.各向異性濕法腐蝕是CMOS-MEMS工藝中較為常用的MEMS后處理工藝。通常利用KOH、TMAH、EDP等堿性溶液的各向異性腐蝕特性實現傳感器的腔、槽等結構。腐蝕深度一般是幾十微米到幾百微米，甚至將硅片腐蝕穿透。如圖1所示，為現有常規方案雙面圖形化掩模-硅晶圓結構10’經過腐蝕等的制造過程，但是其一旦腐蝕貫穿，斜面夾角尖銳處20’會迅速被腐蝕掉，將得不到理想雙V槽貫穿結構。

實用新型內容

針對上述現有技術的缺點或不足，本申請要解決的技術問題是提供一種硅晶圓結構。

為解決上述技術問題，本申請通過以下技術方案來實現：

一種硅晶圓結構，所述硅晶圓結構包括：硅晶圓主體，在所述硅晶圓主體上設有第一槽和第二槽，所述硅晶圓主體還形成有第一尖角或第二尖角，其中，所述第一尖角或所述第二尖角設置在所述第一槽和所述第二槽的連接處。

進一步地，上述的硅晶圓結構，其中，所述硅晶圓主體的背面、所述第一槽的表面以及所述第二槽的表面均鍍有抗腐蝕的薄膜。

進一步地，上述的硅晶圓結構，其中，所述硅晶圓主體的正面設有可圖形化的薄膜。

進一步地，上述的硅晶圓結構，其中，所述薄膜包括金屬薄膜和非金屬薄膜，其中，所述金屬薄膜包括鉻薄膜和金薄膜，所述非金屬薄膜包括氮化硅薄膜。

進一步地，上述的硅晶圓結構，其中，所述薄膜的厚度為0.1～3um。

進一步地，上述的硅晶圓結構，其中，所述硅晶圓主體為(100)面型硅片。

本申請還提出了一種所述的硅晶圓結構的制造方法，包括如下步驟：

采用薄膜在硅晶圓主體的表面做掩膜；

在所述硅晶圓主體的背面腐蝕出第一槽；

在所述硅晶圓主體的背面以及所述第一槽的表面蒸鍍薄膜；

在上述結構的正面進行掩膜圖形化工藝形成圖形化掩膜層，并進行二次腐蝕并腐蝕出第二槽；

腐蝕完成后，采用可腐蝕掉上述蒸鍍薄膜的腐蝕液去除該蒸鍍薄膜。

進一步地，上述的制造方法，其中，采用氮化硅薄膜在硅晶圓主體的表面做掩膜。

進一步地，上述的制造方法，其中，在所述硅晶圓主體的背面以及所述第一槽的表面蒸鍍鉻薄膜或金薄膜。

進一步地，上述的制造方法，其中，腐蝕完成后，采用鉻腐蝕液或金腐蝕液對應去除該蒸鍍薄膜。

本申請還提出了一種所述的硅晶圓結構的制造方法，包括如下步驟：

采用薄膜在硅晶圓主體的表面做掩膜；

在所述硅晶圓主體的背面腐蝕出第一槽；

腐蝕去除該薄膜；

再次雙面沉積生長該薄膜；

在上述結構的正面進行掩膜圖形化工藝形成圖形化掩膜層，并進行二次腐蝕并腐蝕出第二槽；