[實用新型]一種硅晶圓結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921088046.8
• 申請日: 2019-07-11
• 公開（公告）號: CN209929311U
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設計）人: 徐建衛(wèi);徐艷;汪鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海矽安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/306;H01L21/308;B81C1/00
• 代理公司: 31243 上海百一領(lǐng)御專利代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 王奎宇;楊孟娟

1.一種硅晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅晶圓結(jié)構(gòu)包括：硅晶圓主體，在所述硅晶圓主體上設有第一槽和第二槽，所述硅晶圓主體還形成有第一尖角或第二尖角，其中，所述第一尖角或所述第二尖角設置在所述第一槽和所述第二槽的連接處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅晶圓主體的背面、所述第一槽的表面以及所述第二槽的表面均鍍有抗腐蝕的薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅晶圓主體的正面設有可圖形化的薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的硅晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜包括金屬薄膜和非金屬薄膜，其中，所述金屬薄膜包括鉻薄膜和金薄膜，所述非金屬薄膜包括氮化硅薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的硅晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜的厚度為0.1～3um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅晶圓結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅晶圓主體為(100)面型硅片。