[實(shí)用新型]一種用于晶圓打膠機(jī)的托盤(pán)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921034604.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN209963026U | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-01-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉朝輝 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 浙江光特科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 33274 紹興普華聯(lián)合專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 韓云涵 |
| 地址: | 312000 浙江省紹興市*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓 托盤(pán) 隔板 承載區(qū) 凸環(huán) 本實(shí)用新型 開(kāi)口 托盤(pán)本體 打膠機(jī) 上表面 通風(fēng)孔 翻轉(zhuǎn) 均布 去膠 通孔 外周 匹配 | ||
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種用于晶圓打膠機(jī)的托盤(pán),包括托盤(pán)本體,所述托盤(pán)的外周設(shè)有凸環(huán),所述凸環(huán)上設(shè)有開(kāi)口,所述開(kāi)口的底部通至托盤(pán)的上表面,所述托盤(pán)上設(shè)有若干通風(fēng)孔,所述托盤(pán)的上方設(shè)有隔板,所述隔板的直徑與凸環(huán)的內(nèi)徑相同,所述隔板上設(shè)有第一晶圓承載區(qū)和第二晶圓承載區(qū),所述第一晶圓承載區(qū)均布在隔板上,所述第一晶圓承載區(qū)為通孔且直徑與晶圓直徑相匹配。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以很好解決晶圓翻轉(zhuǎn)問(wèn)題,并且不影響去膠效果及工藝的穩(wěn)定性。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其是涉及一種用于晶圓打膠機(jī)的托盤(pán)。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體行業(yè)晶圓貼蠟工藝中,需經(jīng)過(guò)貼蠟前加熱、上蠟貼片、下蠟三個(gè)步驟。在下蠟過(guò)程中,單片薄晶圓需要在打膠機(jī)中加工,此時(shí)需要在設(shè)備的內(nèi)部通入氧氣,氧氣在電離的情況下可以與膠發(fā)生反應(yīng),但是氣體通入會(huì)產(chǎn)生風(fēng)壓,而晶圓片很薄很輕,裸晶圓在腔室中極易翻轉(zhuǎn)及移動(dòng),從而導(dǎo)致碎裂,容易造成損失。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種用于晶圓打膠機(jī)的托盤(pán),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以很好解決晶圓翻轉(zhuǎn)問(wèn)題,并且不影響去膠效果及工藝的穩(wěn)定性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
一種用于晶圓打膠機(jī)中防止晶圓翻轉(zhuǎn)的托盤(pán),包括托盤(pán)本體,所述托盤(pán)的外周設(shè)有凸環(huán),所述凸環(huán)上設(shè)有開(kāi)口,所述開(kāi)口的底部通至托盤(pán)的上表面,所述托盤(pán)上設(shè)有若干通風(fēng)孔,所述托盤(pán)的上方設(shè)有隔板,所述隔板的直徑與凸環(huán)的內(nèi)徑相同,所述隔板上設(shè)有第一晶圓承載區(qū)和第二晶圓承載區(qū),所述第一晶圓承載區(qū)有若干個(gè)且均布在隔板上,所述第一晶圓承載區(qū)為通孔且直徑與晶圓直徑相匹配,所述第二晶圓承載區(qū)為凹槽且直徑與晶圓直徑相匹配,所述第二晶圓承載區(qū)位于隔板的中間位置且疊加在第一晶圓承載區(qū)的上方,所述第二晶圓承載區(qū)底部設(shè)有通槽,所述通槽垂直設(shè)有兩個(gè),所述通槽連通兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一晶圓承載區(qū)。
所述托盤(pán)直徑為100mm,所述凸環(huán)的高度為6mm-12mm,所述通風(fēng)孔的直徑為2mm-5mm且兩個(gè)通風(fēng)孔之間的間距為8mm-12mm,所述開(kāi)口長(zhǎng)度為12mm-20mm。
所述第一晶圓承載區(qū)的數(shù)量為4個(gè)且直徑為50.8mm,所述第二晶圓承載區(qū)的直徑為75.2mm。
本實(shí)用新型的有益效果是:1、在托盤(pán)內(nèi)放置隔板,將晶圓放置于隔板內(nèi),可以阻隔一定的風(fēng)壓,防止晶圓翻轉(zhuǎn)及移動(dòng),有效降低了碎片的概率;2、在隔板上設(shè)置第一晶圓承載區(qū)與第二晶圓承載區(qū),根據(jù)加工需要可以在第一晶圓承載區(qū)加工兩寸晶圓,在第二晶圓承載區(qū)加工三寸晶圓,實(shí)用性更強(qiáng);3、晶圓由于有石英托盤(pán)的保護(hù),安裝隔板后可以加工整片晶圓,取下隔板后可以加工很小的晶圓碎片,既適合厚片又適合薄片,加工的適應(yīng)性增強(qiáng),并且可以有效避免了沾污和劃傷等;4、托盤(pán)底部設(shè)計(jì)成鏤空結(jié)構(gòu),便于氣體交換;5、在托盤(pán)邊沿開(kāi)一段開(kāi)口,方便使用鑷子夾取托盤(pán)。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的爆炸圖;
圖2為本實(shí)用新型的隔板的結(jié)構(gòu)示意圖
圖中:托盤(pán)1、開(kāi)口11、通風(fēng)孔12、凸環(huán)13、隔板2、第一晶圓承載區(qū)21、第二晶圓承載區(qū)22、通槽23。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





