[實用新型]一種提高有源鉗位反激效率的裝置

有效

• 申請號: 201921000948.1
• 申請日: 2019-06-28
• 公開（公告）號: CN209948961U
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 馬超;江甫
• 申請（專利權）人: 安克創新科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335
• 代理公司: 11336 北京市磐華律師事務所
• 代理人: 高偉;于曉芳

本實用新型提供一種提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，包括：鉗位電路和電源電路；所述鉗位電路包括電容、電阻和晶體管，其中，所述晶體管為第一氮化鎵場效應晶體管，所述電容與所述電阻并聯連接，所述第一氮化鎵場效應晶體管與所述電容和所述電阻組成的并聯連接電路串聯連接。其能夠更加有效利用初級的漏感能量，大幅降低開關損耗，使初次級的開關器件工作于軟開關狀態，進一步降低損耗，達到提高效率的目的。

技術領域

本實用新型具體而言涉及一種提高有源鉗位反激效率的裝置。

背景技術

近年來，變壓器或者AC/DC轉換器的體積越來越小，尤其是當它們用于手機或平板電腦充電器時。為了使得其體積盡量的小，簡單的反激式轉換器是首選的拓撲結構，因為它可以有效地實現電壓變換或將交流電轉換為直流電，而只需很少的元件。但是，反激式電路能達到多小是受限的，因為與變壓器漏感相關的損耗限制了實際大小。到目前為止，每個設計都通過減小漏感來應對這一點。

隨著能效要求的提高,普通的設計方案難以滿足能效要求,怎樣提高能效指標,成為未來需要考量的指標。目前在常規反激電路設計中,變壓器損耗和初次級開關器件的硬開關損耗，導致效率無法得到有效提高，因此我們需要新的器件和電路結構來提高效率,解決能效問題。

因此，鑒于上述技術問題的存在，有必要提出提高有源鉗位反激效率的裝置。

實用新型內容

在實用新型內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本實用新型的實用新型內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

針對現有技術的不足，本實用新型一方面提供了一種提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，包括：鉗位電路和電源電路；所述鉗位電路包括電容、電阻和晶體管，其中，所述晶體管為第一氮化鎵場效應晶體管，所述電容與所述電阻并聯連接，所述第一氮化鎵場效應晶體管與所述電容和所述電阻組成的并聯連接電路串聯連接。

進一步地，所述電源電路包括第二氮化鎵場效應晶體管。

進一步地，還包括有源鉗位反激控制器，所述控制器連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管和/或第二氮化鎵場效應晶體管。

進一步地，所述電容和電阻具有第一公共端和第二公共端，其中，所述第一公共端連接于初級線圈的第一端，所述第二公共端連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管的漏級。

進一步地，所述第一氮化鎵場效應晶體管的源極連接于所述初級線圈的第二端。

進一步地，所述第二氮化鎵場效應晶體管的源極連接于電源，漏級連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管的源極。

進一步地，所述有源鉗位反激控制器分別連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管和/或第二氮化鎵場效應晶體管的柵極。

進一步地，所述有源鉗位反激控制器對所述第一氮化鎵場效應晶體管和/或第二氮化鎵場效應晶體管進行軟開關控制。

進一步地，還包括電流感測電阻。

進一步地，所述電流感測電阻一端連接于所述電源電路中的電源開關，另一端接地。

由于本實用新型將RCD吸收電路的電阻、電容和晶體管替換為R，C，GaN FET，由于GaN FET自身具有的優勢，其能夠更加有效利用初級的漏感能量，且用GaN FET替代原有SiCMOS管，其能夠大幅降低開關損耗，并且運用了ACF控制器，使初次級的開關器件工作于軟開關狀態，進一步降低損耗，達到提高效率的目的。

附圖說明

本實用新型的下列附圖在此作為本實用新型的一部分用于理解本實用新型。附圖中示出了本實用新型的實施例及其描述，用來解釋本實用新型的原理。