[實用新型]一種提高有源鉗位反激效率的裝置有效
| 申請號： | 201921000948.1 | 申請日： | 2019-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN209948961U | 公開（公告）日： | 2020-01-14 |
| 發明（設計）人： | 馬超;江甫 | 申請（專利權）人： | 安克創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/335 | 分類號： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐華律師事務所 | 代理人： | 高偉;于曉芳 |
| 地址： | 410205 湖南省長沙市高新開發區尖*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容 氮化鎵場效應晶體管 鉗位電路 晶體管 并聯連接電路 本實用新型 軟開關狀態 電源電路 電阻并聯 電阻組成 開關器件 開關損耗 漏感能量 電阻 反激 鉗位 | ||
1.一種提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，包括：
鉗位電路和電源電路；
所述鉗位電路包括電容、電阻和晶體管，
其中，所述晶體管為第一氮化鎵場效應晶體管，
所述電容與所述電阻并聯連接，
所述第一氮化鎵場效應晶體管與所述電容和所述電阻組成的并聯連接電路串聯連接。
2.如權利要求1所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，所述電源電路包括第二氮化鎵場效應晶體管。
3.如權利要求1或2所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，還包括有源鉗位反激控制器，所述控制器連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管和/或第二氮化鎵場效應晶體管。
4.如權利要求1所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，所述電容和電阻具有第一公共端和第二公共端，其中，所述第一公共端連接于初級線圈的第一端，所述第二公共端連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管的漏級。
5.如權利要求4所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，所述第一氮化鎵場效應晶體管的源極連接于所述初級線圈的第二端。
6.如權利要求2所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，所述第二氮化鎵場效應晶體管的源極連接于電源，漏級連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管的源極。
7.如權利要求3所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，所述有源鉗位反激控制器分別連接于所述第一氮化鎵場效應晶體管和/或第二氮化鎵場效應晶體管的柵極。
8.如權利要求7所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，所述有源鉗位反激控制器對所述第一氮化鎵場效應晶體管和/或第二氮化鎵場效應晶體管進行軟開關控制。
9.如權利要求1所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，還包括電流感測電阻。
10.如權利要求9所述的提高有源鉗位反激效率的裝置，其特征在于，所述電流感測電阻一端連接于所述電源電路中的電源開關，另一端接地。
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