[實用新型]半導體結構

有效

• 申請號: 201920964473.1
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN209691756U
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 李重寰;朱虹;陸震生
• 申請（專利權）人: 上海籮箕技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 11227 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 吳敏<國際申請>=<國際公布>=<進入國

一種半導體結構，包括：基底，所述基底包括主動區及包圍所述主動區的走線區；第一擋墻，位于所述走線區的部分所述基底表面；第一涂層，位于所述主動區的所述基底表面。所述第一擋墻有助于約束所述第一涂層的附屬層的邊界。

技術領域

本實用新型涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種半導體結構。

背景技術

氧化物薄膜晶體管(Oxide Thin-Film Transistor，TFT))是場效應管的一種特殊類型。與非晶硅薄膜晶體管的主要區別為：氧化物薄膜晶體管的電子通道材料為氧化物，通常使用二氧化硅作為襯底。非晶硅薄膜晶體管的電子通道材料為非晶硅。

由于氧化物薄膜晶體管具有遷移率較高、大面積均勻性較好及制備工藝溫度較低等諸多優勢，因此氧化物薄膜晶體管廣泛應用于液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有機發光半導體(Organic Light-Emitting Diode， OLED)中。

但是，現有氧化物薄膜晶體管的結構仍有待改進。

實用新型內容

本實用新型解決的問題是提供一種半導體結構，有助于約束所述第一涂層的附屬層的邊界。

實用新型為解決上述問題，本實用新型提供一種半導體結構，包括：基底，所述基底包括主動區及包圍所述主動區的走線區；第一擋墻，位于所述走線區的部分所述基底表面；第一涂層，位于所述主動區的所述基底表面。

可選的，所述半導體結構還包括：第一主附屬層，所述第一主附屬層位于所述第一擋墻與所述第一涂層之間。

可選的，所述走線區包括第一子走線區、第二子走線區及第三子走線區，所述第三子走線區與所述主動區相鄰接，所述第二子走線區位于所述第一子走線區與所述第三子走線區之間，所述第一擋墻位于所述第二子走線區的所述基底表面，所述第一主附屬層位于所述第三子走線區的所述基底表面。

可選的，所述第一擋墻的寬度小于所述第一涂層的寬度。

可選的，所述第一擋墻包括相對的第一側壁及第二側壁，所述第二側壁朝向所述第一涂層，所述第一側壁遠離所述第一涂層；所述半導體結構還包括：第一副附屬層，所述第一副附屬層位于所述第一側壁表面上。

可選的，所述基底還包括包圍所述主動區及所述走線區的焊盤區。

可選的，所述半導體結構還包括：第二擋墻，所述第二擋墻位于所述第一擋墻頂部；第二涂層，所述第二涂層覆蓋所述第一涂層頂部。

可選的，所述第二擋墻包括相疊放的多個第二子擋墻，所述第二涂層包括相疊放的多個第二子涂層，所述第二子涂層的數量與所述第二子擋墻的數量相等。

可選的，相同層數的所述第二子涂層的頂部與所述第二子擋墻的頂部齊平。

可選的，所述第一擋墻的數量為一個或多個。

可選的，當所述第一擋墻的數量為多個時，相鄰所述第一擋墻的間距與所述第一擋墻的厚度的比值范圍為1～10。

可選的，所述第一擋墻的頂部與所述第一涂層的頂部齊平。

可選的，所述基底包括襯底及器件層，所述器件層覆蓋所述襯底頂部表面。

與現有技術相比，本實用新型的技術方案具有以下優點：

所述第一擋墻位于所述走線區的部分所述基底表面，所述第一涂層位于所述主動區的所述基底表面。所述第一擋墻的一側朝向所述第一涂層。在形成所述第一涂層的工藝中，所述第一涂層的附屬層橫跨所述第一擋墻的難度大，因此所述第一涂層的附屬層的邊界難以越至所述第一擋墻的另一側，因此所述第一擋墻有助于約束所述第一涂層的附屬層的邊界。

附圖說明