[實(shí)用新型]平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201920963740.3
• 申請(qǐng)日: 2019-06-25
• 公開（公告）號(hào): CN210224042U
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘繼;徐鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫沃達(dá)科半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/06
• 代理公司: 無錫市匯誠(chéng)永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260
• 代理人: 王闖;葛莉華

本實(shí)用新型公開了一種平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管。平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管包括基體，基體自下而上分別包括第一基板和第二基板，第一基板為P型晶圓基板，第二基板經(jīng)過深N?阱工藝處理。第二基板的上表面形成有多個(gè)相互間隔的溝道，溝道中形成有柵極，溝道的相鄰兩側(cè)分別形成有源極和漏極，柵極、源極和漏極位于基體的同側(cè)。本實(shí)用新型中溝道型柵極和同側(cè)設(shè)置的柵極、源極和漏極結(jié)構(gòu)可以提高導(dǎo)通性能，減小單元間距，從而降低集成電源芯片的單位導(dǎo)通電阻，提高導(dǎo)通性能，并將同性能條件下的晶體管面積減小一半左右，同時(shí)便于在同一基體上集成多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管及其加工方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)LDMOS是集成電源芯片中的MOSFET器件，它可以很容易的同CMOS工藝集成在一塊晶片上，提供較好的單位導(dǎo)通阻值(RdsA)和高開關(guān)速度。溝道型MOSFET可以提供更小的晶圓占用面積，因?yàn)闇系佬蚆OSFET可以實(shí)現(xiàn)更小的單元間距和更高的電流密度。

例如在耐壓等級(jí)(BV)為34V的工藝下，溝道型MOSFET可以達(dá)到單位導(dǎo)通阻值RdsA(Vgs＝5V)3～4mOhm-mm2，同樣耐壓等級(jí)的LDMOS則只能達(dá)到RdsA(Vgs＝5V)～7mOhm-mm2(數(shù)字越小說明單位導(dǎo)通阻值越低，MOSFET的效率越高)。

但是因?yàn)闇系佬蚆OSFET的電極分布在晶圓上下兩端，所以無法同CMOS工藝集成在一起。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的一種平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管，包括基體，所述基體自下而上分別包括第一基板和第二基板，所述第一基板為P型晶圓基板，所述第二基板經(jīng)過深N-阱工藝處理，

所述第二基板的上表面形成有多個(gè)相互間隔的溝道，所述溝道中形成有柵極，所述溝道的相鄰兩側(cè)分別形成有源極和漏極，所述柵極、源極和漏極位于所述基體的同側(cè)。

本實(shí)用新型中溝道型柵極和同側(cè)設(shè)置的柵極、源極和漏極結(jié)構(gòu)可以提高導(dǎo)通性能，減小單元間距，從而降低集成電源芯片的單位導(dǎo)通電阻，提高導(dǎo)通性能，并將同性能條件下的晶體管面積減小一半左右，同時(shí)便于在同一基體上集成多個(gè)晶體管結(jié)構(gòu)。

在某些實(shí)施方式中，所述第二基板上表面覆蓋有氧化層。

在某些實(shí)施方式中，所述溝道表面形成均勻或不均勻的氧化層側(cè)壁。

在某些實(shí)施方式中，所述溝道內(nèi)填充有多晶材料。

在某些實(shí)施方式中，所述源極自下而上形成N+擴(kuò)散區(qū)域和P-擴(kuò)散區(qū)域。

在某些實(shí)施方式中，所述漏極形成N+擴(kuò)散區(qū)域。

本實(shí)用新型實(shí)施方式的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

附圖說明

本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施方式的描述中將變得明顯和容易理解，其中：

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施方式的平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管的平面截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型實(shí)施方式的平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管的加工方法的流程示意圖；

圖3是本實(shí)用新型實(shí)施方式的平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場(chǎng)效晶體管的另一平面截面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號(hào)表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本實(shí)用新型，而不能理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。