[實用新型]平面結構溝道金氧半場效晶體管有效
| 申請號： | 201920963740.3 | 申請日： | 2019-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN210224042U | 公開（公告）日： | 2020-03-31 |
| 發明（設計）人： | 潘繼;徐鵬 | 申請（專利權）人： | 無錫沃達科半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闖;葛莉華 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市新吳區菱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平面 結構 溝道 半場 晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種平面結構溝道金氧半場效晶體管，其特征在于，包括基體，所述基體自下而上分別包括第一基板和第二基板，所述第一基板為P型晶圓基板，所述第二基板經過深N-阱工藝處理，
所述第二基板的上表面形成有多個相互間隔的溝道，所述溝道中形成有柵極，所述溝道的相鄰兩側分別形成有源極和漏極，所述柵極、源極和漏極位于所述基體的同側。
2.根據權利要求1所述的平面結構溝道金氧半場效晶體管，其特征在于，所述第二基板上表面覆蓋有氧化層。
3.根據權利要求1所述的平面結構溝道金氧半場效晶體管，其特征在于，所述溝道表面形成均勻或不均勻的氧化層側壁。
4.根據權利要求1所述的平面結構溝道金氧半場效晶體管，其特征在于，所述溝道內填充有多晶材料。
5.根據權利要求1所述的平面結構溝道金氧半場效晶體管，其特征在于，所述源極自下而上形成N+擴散區域和P-擴散區域。
6.根據權利要求5所述的平面結構溝道金氧半場效晶體管，其特征在于，所述漏極形成N+擴散區域。
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