[實(shí)用新型]掩膜結(jié)構(gòu)和存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201920955059.4
• 申請日: 2019-06-24
• 公開（公告）號: CN210272255U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;董琳

1.一種掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

依次堆疊的第一掩膜層、第一緩沖層以及位于所述第一緩沖層表面的第一側(cè)墻；

相鄰所述第一側(cè)墻兩側(cè)之間的刻蝕圖形沿第一方向延伸，且深度均相同；

覆蓋所述第一掩膜層、所述第一緩沖層和所述第一側(cè)墻并填充滿所述刻蝕圖形的第三掩膜層；

位于所述第三掩膜層表面的第二緩沖層以及位于所述第二緩沖層表面的第二側(cè)墻，相鄰所述第二側(cè)墻之間的刻蝕圖形沿第二方向延伸，且深度均相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一緩沖層包括多晶硅層、碳化硅層以及鍺硅層中的至少一層，所述第二緩沖層包括多晶硅層、碳化硅層以及鍺硅層中的至少一層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一掩膜層和所述第三掩膜層均包括有機(jī)掩膜層和硬掩膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三掩膜層的所述有機(jī)掩膜層覆蓋所述第一掩膜層并填充滿相鄰所述第一側(cè)墻之間的刻蝕圖形，且與所述第一側(cè)墻的頂部表面齊平。

5.一種掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一掩膜層；

位于所述第一掩膜層表面的第一側(cè)墻；

相鄰所述第一側(cè)墻之間的刻蝕圖形沿第一方向延伸，且深度均相同；

覆蓋所述第一掩膜層和所述第一側(cè)墻并填充滿相鄰所述第一側(cè)墻之間的刻蝕圖形的第三掩膜層；

位于所述第三掩膜層表面的第二側(cè)墻，相鄰所述第二側(cè)墻之間的刻蝕圖形沿第二方向延伸，且深度均相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一掩膜層和所述第三掩膜層均包括有機(jī)掩膜層和硬掩膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一側(cè)墻和所述第一掩膜層的刻蝕選擇比大于5；所述第二側(cè)墻與所述第三掩膜層的刻蝕選擇比大于5。

8.一種存儲器，其特征在于，包括：

基底，所述基底內(nèi)形成有若干沿第一方向、第二方向陣列排布的電容孔，所述電容孔通過以權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜刻蝕所述基底而形成；

所有所述電容孔的尺寸均相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器，其特征在于，所述基底包括襯底和位于所述襯底表面的疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括交替層疊的犧牲層和支撐層；所述電容孔貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)。